[发明专利]可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术

权利要求书

1.一种可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术，其特征在于，包括以下步骤：（1）将配体分子和CuSO4按照比例溶于水中；用碱性溶液调节溶液的pH值为5-12；（2）加入一定量的盐酸羟胺还原，加热至40-100℃进行充分反应；（3）冷却至室温，分离得到产物；（4）配制一定比例的CuCl纳米晶体和染料有机污染物的混合溶液；加入一定比例的H₂O₂；可见光照射下反应一定时间；

所述CuCl纳米晶体重复使用数次后仍能实现对污染物的85%降解率；

步骤（1）中所述的配体分子为聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基硫酸钠、硬脂酸、脂肪酸甘油酯、柠檬酸钠中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术，其特征在于：步骤（1）中所述的CuSO4与配体分子的摩尔比例为1:0.02-1:6。

3.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术其特征在于：步骤（1）中所述的碱性溶液为氢氧化钠溶液、氨水溶液、碳酸钠/碳酸氢钠缓冲液、硼酸/硼砂缓冲液、硼砂/氢氧化钠缓冲液、甘氨酸/氢氧化钠缓冲液、磷酸二氢钠溶液、磷酸二氢钾溶液、磷酸氢二钠溶液中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术，其特征在于：步骤（2）中所述的充分反应时间为30分钟-24小时。

5.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术：步骤（2）中所述的CuSO₄与还原剂的摩尔比例为1:0.75-1:3。

6.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术，其特征在于：步骤（4）中所述的CuCl纳米晶体和染料有机污染物混合溶液中CuCl纳米晶体的浓度为0.3g/L-5g/L，染料有机污染物的浓度为0-100mg/L。

7.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术，其特征在于：步骤（4）中所述的H₂O₂加入比例为待降解污染物反应体积的0-20%，H₂O₂的质量百分比浓度为30%。

8.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术，其特征在于：步骤（4）中所述的可见光照射时间范围为10分钟-12小时。

9.根据权利要求1所述的可见光下CuCl纳米晶体光催化降解染料污染物的技术，其特征在于：步骤（4）中所述的染料有机污染物为甲基橙、亚甲基蓝、罗丹明、酸性橙、荧光红、荧光桃红中的至少一种；步骤（4）中所述的可见光由氙灯或钨灯模拟。