[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

基底；

多个发光单元，在基底上彼此分离，每个发光单元包括下半导体层、设置在下半导体层的至少一部分上的有源层、上半导体层以及透明电极层；

布线层，将第一发光单元的下半导体层电连接到与第一发光单元相邻的第二发光单元的上半导体层；

绝缘层，设置在布线层和所述多个发光单元之间，以防止由于布线层而导致的所述多个发光单元的短路；以及

微透镜，形成在所述多个发光单元上，

其中，每个发光单元包括处于发光单元的边界处的第一区域和与第一区域沿对角线相对的第二区域，第一电极焊盘设置为布线层的位于第一区域处的一部分，第二电极焊盘按线性形状设置为布线层的一部分且第二电极焊盘的线性形状的假想延伸线与第二区域的边界相交，使得第二电极焊盘面向第一电极焊盘同时与第二区域的边界一起区域性地限定外围区域。

2.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括设置在微透镜上的保护绝缘层。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，微透镜由具有介于透明电极层的折射率与保护绝缘层的折射率之间的中间折射率的材料构成。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中，微透镜包括聚合物。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其中，上半导体层包括氮化镓基化合物半导体层，透明电极层包括氧化铟锡层，微透镜包括聚合物，保护绝缘层包括二氧化硅。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中，微透镜包括竖直的横截面，竖直的横截面的宽度随着远离基底而变窄。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，每个发光单元包括位于布线层下方的电流屏蔽件。

8.一种发光二极管，包括：

基底；

多个发光单元，在基底上彼此分离，每个发光单元包括下半导体层、设置在下半导体层的至少一部分上的有源层、上半导体层以及透明电极层；

布线层，将第一发光单元的下半导体层电连接到与第一发光单元相邻的第二发光单元的上半导体层；以及

绝缘层，设置在布线层和所述多个发光单元之间，以防止由于布线层而导致的所述多个发光单元的短路，

其中，每个发光单元包括位于布线层下方的电流屏蔽件，

其中，每个发光单元包括处于发光单元的边界处的第一区域和与第一区域沿对角线相对的第二区域，第一电极焊盘设置为布线层的位于第一区域处的一部分，第二电极焊盘按线性形状设置为布线层的一部分且第二电极焊盘的线性形状的假想延伸线与第二区域的边界相交，使得第二电极焊盘面向第一电极焊盘同时与第二区域的边界一起区域性地限定外围区域。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，布线层一体地包括设置在下半导体层上的第一电极焊盘和设置在透明电极层或上半导体层上的第二电极焊盘，电流屏蔽件设置在第二电极焊盘下方。

10.如权利要求8所述的发光二极管，其中，电流屏蔽件包括从二氧化硅、氧化铝、氮化硅和二氧化钛中选择的至少一种材料。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其中，电流屏蔽件包括分布式布拉格反射器。

12.如权利要求8所述的发光二极管，其中，电流屏蔽件包括含有交替地堆叠在彼此上方的低折射率层和高折射率层的分布式布拉格反射器，低折射率层包括二氧化硅或氧化铝，高折射率层包括氮化硅或二氧化钛。