[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明的示例性实施例涉及包括化合物半导体的发光二极管和适于AC操作的发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED)可以由化合物半导体制成，化合物半导体例如包括基于第III族氮化物的化合物半导体，发光二极管已经用在包括显示装置和背光单元的大范围的应用中，也已经用作作为现有的白炽灯和荧光灯的替代品的用于普通照明的光源。

通常，LED根据由AC电源施加的电流的方向而重复地接通/断开。因此，当LED直接连接到AC电源时，LED不是连续地发光，并且有可能因反向电流而受到损伤。为了解决LED的这种问题，由Sakai等人提交的题目为“Light-emitting device having light-emitting elements(具有发光元件的发光装置)”的第WO 2004/023568(A1)号国际公开提出了一种直接连接到高电压AC电源的LED。

图1示出了传统的AC发光二极管1。参照图1，AC发光二极管1包括形成在绝缘基底2上的多个矩形发光单元4。此外，结合焊盘3a、3b形成在基底2上。

传统的发光二极管1包括在每个发光单元4上的n型电极焊盘6和p型电极焊盘8。将发光单元4部分地去除到预定的深度，以暴露发光单元4中的中间层的一部分。暴露的层通常为n型半导体层，n型电极焊盘6形成在暴露的n型半导体层的区域上。p型电极焊盘8形成在发光单元4的顶部处的p侧区域上。结合焊盘3a、3b与结合焊盘3a、3b之间的发光单元4通过布线5相互串联连接。相邻发光单元的p型电极焊盘8和n型电极焊盘6通过布线5相互连接。

在这种传统的发光二极管1中，如果在对应的发光单元4中，n型电极焊盘6和p型电极焊盘8之间的距离大，则电流主要集中在p型电极焊盘8附近，从而在p型电极焊盘8附近发射强烈的光。此外，当p型电极焊盘8位于n型电极焊盘6附近时，在p型电极焊盘8与n型电极焊盘6之间的区域中亮度提高，但是在p型电极焊盘8与发光单元4的边界之间的区域中亮度明显降低。这就导致发光二极管的发光均匀性有明显的劣化，并且成为在制造大尺寸发光二极管时的主要障碍。

在其它类型的传统发光二极管中，n型电极焊盘和p型电极焊盘可以成对角地在发光单元的相对的角部处设置成彼此面对。然而，在这些类型的发光二极管中，只有p型电极焊盘附近的亮度高，从而导致不均匀的发光。

发明内容

技术问题

本发明的示例性实施例提供了一种在发光单元的具有不同极性的电极焊盘之间具有改善了的电流扩散特性以提供均匀的发光的发光二极管。

本发明的附加的特征将在下面的描述中进行阐述，部分地通过描述将是清楚的，或者可通过实践本发明而了解。

技术方案

本发明的示例性实施例公开了一种包括基底、多个发光单元、第一电极焊盘、第二电极焊盘和布线的发光二极管。多个发光单元设置在基底上。每个发光单元包括处于发光单元的边界处的第一区域和与第一区域相对的第二区域。第一电极焊盘设置在第一区域处。第二电极焊盘具有线性形状并且设置成面对第一电极焊盘。第二电极焊盘与第二区域的边界一起限定外围区域。布线将第一发光单元的第一电极焊盘连接到第二发光单元的第二电极焊盘。

本发明的示例性实施例公开了一种包括发光单元、第一电极焊盘和第二电极焊盘的发光二极管。第一电极焊盘设置在第一区域处。第二电极焊盘具有线性形状并且设置成面对第一电极焊盘。第二电极焊盘与第二区域的边界一起限定外围区域。

本发明的示例性实施例公开了一种包括基底、多个发光单元、布线层、绝缘层和微透镜的发光二极管。多个发光单元在基底上彼此分离。每个发光单元包括下半导体层、设置在下半导体层的至少一部分上的有源层、上半导体层以及透明电极层。布线层将第一发光单元的下半导体层电连接到与第一发光单元相邻的第二发光单元的上半导体层。绝缘层设置在布线层和所述多个发光单元之间，以防止由于布线层而导致的所述多个发光单元的短路。微透镜形成在所述多个发光单元上。

本发明的示例性实施例公开了一种包括基底、多个发光单元、布线层和绝缘层的发光二极管。多个发光单元在基底上彼此分离。每个发光单元包括下半导体层、设置在下半导体层的至少一部分上的有源层、上半导体层以及透明电极层。布线层将第一发光单元的下半导体层电连接到与第一发光单元相邻的第二发光单元的上半导体层。绝缘层设置在布线层和所述多个发光单元之间，以防止由于布线层而导致的所述多个发光单元的短路。每个发光单元包括位于布线层下方的电流屏蔽件。

有益效果