[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510955581.9 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105355664A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 孙博 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在第一基板上依次形成栅极以及栅极绝缘层；
对所述栅极绝缘层的凸起部位进行刻蚀，形成一凹陷区域；
在所述凹陷区域形成有缘层；
在所述有缘层上形成一漏极和一源级，且所述源级和所述漏极以一沟道分开以暴露部分所述有缘层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述有缘层的厚度等于所述凹陷区域的深度。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹陷区域形成有缘层的步骤具体包括：
在所述凹陷区域通过化学沉积非晶硅形成所述有缘层。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管为低栅极和顶接触结构。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有缘层上形成一漏极和一源级，且所述源级和所述漏极以一沟道分开以暴露部分所述有缘层的步骤之后还包括：
在所述氧化物薄膜晶体管的表面沉积钝化层；
在所述绝缘钝化层上刻蚀形成接触通孔；并刻蚀所述接触通孔形成接触电极。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在第一基板上依次形成栅极以及栅极绝缘层步骤具体包括：
在所述第一基板上沉积金属膜层，经过曝光，刻蚀形成所述栅极；
在所述栅极以及所述第一基板上沉积所述栅极绝缘层。
7.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：第一基板，设置在所述第一基板上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层凹陷区域内的有缘层；还包括位于所述有缘层上方，以一沟道分隔开并暴露部分所述有缘层的源极和漏极；所述凹陷区域为蚀刻所述栅极绝缘凸起部位形成的区域。
8.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述有缘层的厚度等于所述凹陷区域的深度。
9.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述有缘层是在所述凹陷区域通过化学沉积非晶硅形成的。
10.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管还包括覆盖在所述氧化物薄膜晶体管的表面沉积钝化层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510955581.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有反射层的四结太阳能电池
- 下一篇：金属栅极结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
