[发明专利]一种SOI基结构的电光逻辑门有效

专利信息
申请号: 201510955105.7 申请日: 2015-12-17
公开(公告)号: CN105634466B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 胡国华;李磊;戚志鹏;恽斌峰;张若虎;钟嫄;崔一平 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03K19/14 分类号: H03K19/14
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 黄成萍
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 波导 半环 耦合区 电光 钩型 基结构 逻辑门 直波导 高速通信网络 中心对称结构 逻辑门操作 模拟电信号 数字光信号 高速调制 顺次连接 耦合的 环口 偶合 圆环 正对 平行 转换 应用
【权利要求书】:

1.一种SOI基结构的电光逻辑门,其特征在于:包括基于SOI材料制作的单模脊型波导,所述单模脊型波导包括直波导(1)和钩型波导两部分,所述钩型波导包括端面对端面顺次连接的第一耦合区(3-1)、第一半环波导(2-1)、S-Bend(4)、第二耦合区(3-2)和第二半环波导(2-2),S-Bend(4)为S型中心对称结构,第一耦合区(3-1)和第二耦合区(3-2)在一条直线上,第一半环波导(2-1)和第二半环波导(2-2)均为1/2圆环,且第一半环波导(2-1)和第二半环波导(2-2)的环口正对;钩型波导位于直波导(1)的一侧,且钩型波导的第一耦合区(3-1)和第二耦合区(3-2)与直波导(1)相平行;

所述第一耦合区(3-1)和第二耦合区(3-2)的单模脊型波导中嵌入电学结构,电学结构为P-I-N结构,在第一耦合区(3-1)和第二耦合区(3-2)上方各设置有一个共面波导电极(8),共面波导电极(8)与电学结构形成电学接触,通过共面波导电极(8)向第一耦合区(3-1)和第二耦合区(3-2)加载模拟电信号;

所述直波导(1)的一端作为电光逻辑门与外接单模光纤的接口,用于引入输入光波,直波导(1)的另一端作为电光逻辑门的第一输出端,用于实现逻辑门功能;第二半环波导(2-2)的末端作为电光逻辑门的第二输出端,用于实现耦合信号的单独输出。

2.根据权利要求1所述的SOI基结构的电光逻辑门,其特征在于:所述第一半环波导(2-1)的半径小于第二半环波导(2-2)的半径。

3.根据权利要求1所述的SOI基结构的电光逻辑门,其特征在于:根据第一耦合区(3-1)和第二耦合区(3-2)的长度,第一半环波导(2-1)和第二半环波导(2-2)的半径,在第一半环波导(2-1)和S-Bend(4)之间设置一段辅助直波导(5),辅助直波导(5)的两端通过端面对端面方式分别与第一半环波导(2-1)和S-Bend(4)连接。

4.根据权利要求1所述的SOI基结构的电光逻辑门,其特征在于:所述第一耦合区(3-1)的末端通过端面对端面的方式连接有一段弯曲波导(6),弯曲波导(6)的末端远离直波导(1)。

5.根据权利要求1所述的SOI基结构的电光逻辑门,其特征在于:所述第二半环波导(2-2)的末端通过端面对端面的方式连接有一段辅助输出波导(7),通过辅助输出波导(7)延伸第二输出端。

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