[发明专利]鳍型场效应晶体管的鳍及其制备方法

权利要求书

1.一种形成和电隔离鳍型场效应晶体管FinFET的鳍的方法，该方法包含：

从体半导体形成至少一个鳍；

在第一组条件下通过把至少一个元素扩散至所述至少一个鳍的上部形成所述至少一个鳍的上部，该步骤包含：在所述至少一个鳍的所述上部形成半导体材料的第一层，其中所述半导体材料包括所述至少一个元素，以及执行第一热氧化，以把所述第一层的所述至少一个元素扩散至所述至少一个鳍的上部；

在第二组条件下从所述至少一个鳍的下部形成电隔离区；

所述在第一组条件下的形成与所述在第二组条件下的形成是时间间隔的；和

与所述第二组条件分开来控制所述第一组条件，其中所述控制所述第一组条件包含控制第一温度，并且包含多次重复执行第一热氧化，直到在不导致缺陷的情况下实现所需的参数。

2.按照权利要求1的方法，其中，所述实现所需的参数包括使所述至少一个元素在所述至少一个鳍的所述上部中达到选定的浓度。

3.按照权利要求1的方法，其中，所述实现所需的参数包括使所述至少一个鳍的所述上部达到选定的电子迁移率。

4.按照权利要求1的方法，其中，所述实现所需的参数包括使所述至少一个鳍的所述上部达到选定的开关速度。

5.按照权利要求1的方法，其中，所述实现所需的参数包括使所述至少一个鳍的所述上部达到选定的应变水平。

6.按照权利要求1的方法，其中，所述在第二组条件下形成所述电隔离区包含：

在所述至少一个鳍的下部的周围形成介电质；

执行第二热氧化，以形成所述至少一个鳍的氧化的下部；和

其中所述电隔离区包含所述氧化的下部；

其中所述介电质和所述电隔离区电隔离所述至少一个鳍的上部。

7.按照权利要求6的方法，其中所述第二热氧化进一步把所述第一层的所述至少一个元素扩散至所述至少一个鳍的上部。

8.按照权利要求1的方法，其中所述控制所述第一组条件包含控制第一温度。

9.按照权利要求1的方法，其中所述控制所述第一组条件进一步包含控制第一持续时间。

10.按照权利要求8的方法，其中所述控制所述第二组条件包含控制与所述第一温度不同的第二温度。

11.按照权利要求9的方法，其中所述控制所述第一组条件进一步包含控制与所述第一持续时间不同的第二持续时间。

12.按照权利要求1的方法，其中所述半导体材料层包含硅锗。

13.按照权利要求1的方法，其中所述第一层的所述至少一个元素包含锗。

14.一种鳍型场效应晶体管FinFET的电隔离的鳍，该鳍包含：

在第一组条件下通过把至少一个元素扩散至所述鳍的上部形成的上部，包括在所述鳍的所述上部形成半导体材料的第一层，其中所述半导体材料包括所述至少一个元素，以及执行第一热氧化，以把所述第一层的所述至少一个元素扩散至所述鳍的上部；

在第二组条件下形成的电隔离区；

所述第一组条件与所述第二组条件在时间上是间隔的；和

所述第一组条件是与所述第二组条件分开来控制的，其中所述控制所述第一组条件包含多次重复执行第一热氧化，直到在不导致缺陷的情况下实现所需的参数。

15.按照权利要求14的鳍，实现所需的参数包括以下之一：

实现所述至少一个元素在所述上部的选定的浓度；

实现所述上部的选定的电子迁移率；

实现所述至少一个鳍的所述上部的选定的开关速度；和

实现所述至少一个鳍的所述上部的选定的应变水平。