[发明专利]一种囊泡状CdSe纳米半导体光催化剂的制备及其应用

权利要求书

1.一种囊泡状CdSe纳米半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)NaHSe前驱液的制备：

将Se粉和硼氢化钠放入特制玻璃反应瓶，加入去离子水溶解，磁力搅拌辅助反应，反应全程通N₂保护，直到反应瓶底出现白色沉淀，用针管抽取上层澄清液，即为NaHSe前驱液；所述的Se粉和硼氢化钠的摩尔比为1：1.5；

(2)囊泡状CdSe纳米半导体光催化剂的制备：

称取水合氯化镉(CdCl₂·2.5H₂O)，十二烷基三甲基氯化铵(DTAC)，加入去离子水，磁力搅拌至完全溶解，再加入稳定剂甲基丙烯酸；充分搅拌后用1mol/L的氢氧化钠溶液调节溶液的pH＝7-8，得到混合液A；然后将步骤(1)制备的NaHSe前驱液逐滴注入混合液A，持续通氮气，在70-100℃条件下水浴回流4小时后，取出自然冷却，将溶液离心，并用去离子水、无水乙醇分别洗涤3次，放入干燥箱烘干，得到囊泡状CdSe纳米半导体光催化剂。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的氯化镉和甲基丙烯酸的质量比为1：0.5-1。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的氯化镉和甲基丙烯酸的质量比为1：0.75。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述十二烷基三甲基氯化铵(DTAC)的质量为氯化镉0.22-1.1倍。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述囊泡状CdSe纳米半导体光催化剂中Cd：Se的物质的量的比例为1:1。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的NaHSe前驱液 逐滴加入混合液A的速率为1滴/秒。

7.根据权利要求1所述的制备方法制备的囊泡状CdSe纳米半导体光催化剂，其特征在于，将其应用于在抗生素废水中催化去除盐酸四环素。