[发明专利]封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂及其制备方法和应用有效
申请号: | 201510940355.3 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN105585738B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 唐萍;司晶晶;李锐 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C08K9/12 | 分类号: | C08K9/12;C08L25/06 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 修饰 纳米 材料 中的 负载 抗静电 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂的制备方法,其特征在于具体制备步骤如下:
(1)将纳米介孔材料超声分散于无水乙醇中,超声分散5~30分钟,获得浓度为10~50mg/mL的纳米介孔材料分散液;将硅烷偶联剂溶解于无水乙醇中,获得浓度为10~50 wt%的硅烷偶联剂溶液;将上述硅烷偶联剂溶液与纳米介孔材料分散液混合后,回流10~50小时;冷却至室温后过滤、洗涤、干燥,得到孔壁修饰的纳米介孔材料;
所述纳米介孔材料为硅基介孔材料;所述硅基介孔材料选自为MCM-22、MCM-41、MCM-48和SBA-15;所述硅烷偶联剂为氨基硅烷类偶联剂;所述氨基硅烷类偶联剂为单氨基硅烷类偶联剂、双氨基硅烷类偶联剂、三氨基硅烷类偶联剂或多氨基硅烷类偶联剂;纳米介孔材料与硅烷偶联剂的质量之比为(0.05~0.5):1;
(2)将表面活性剂型抗静电剂溶解于无水乙醇中,制备浓度为10~50 mg/mL的表面活性剂型抗静电剂溶液;
(3)将孔壁修饰的纳米介孔材料超声分散于表面活性剂型抗静电剂溶液中;在常温下,搅拌4~72小时,经过滤、洗涤、干燥,得到封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂。
2.如权利要求1所述的负载型抗静电剂的制备方法,其特征在于所述孔壁修饰纳米介孔材料与表面活性剂型抗静电剂的质量之比为(0.2~0.5):1。
3.如权利要求1所述的负载型抗静电剂的制备方法,其特征在于所述表面活性剂型抗静电剂包含亲油性部分和具有吸湿性基团的亲水性部分;亲油性部分为烷烃链或其衍生物;亲水性部分为阳离子型、阴离子型或非离子型。
4.如权利要求3所述的负载型抗静电剂的制备方法,其特征在于所述阳离子型为季铵盐类或烷基咪唑啉阳离子;阴离子型为烷基磺酸盐;非离子型为脂肪酸多元醇酯或烷醇胺。
5.如权利要求1所述的负载型抗静电剂的制备方法,其特征在于所述搅拌为磁力搅拌或机械搅拌。
6.如权利要求1~5之一所述的制备方法制备获得的封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂。
7.如权利要求6所述封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂在制备抗静电高分子材料中的应用。
8.如权利要求7所述的应用,其特征在于具体步骤如下:
将所述负载型抗静电剂和聚苯乙烯按质量比(0.3~3):100进行物理混合,混合均匀后,进行熔融共混或溶液共混。
9.如权利要求8所述的应用,其特征在于熔融共混加工法具体步骤为:将所述负载型抗静电剂与聚苯乙烯加入双螺杆挤出机中,温度为160 ~ 210℃,共混时间为5~15分钟,挤出造粒,得到改性的聚苯乙烯。
10. 如权利要求8所述的应用,其特征在于溶液共混加工法具体步骤为:将所述负载型抗静电剂加入到2 ~ 15倍质量比的二甲苯溶剂中,超声分散15~30分钟;将聚苯乙烯加入到上述溶液中,持续搅拌溶解0.5 ~ 130小时,搅拌温度20~150 ℃,搅拌速率200~2000 rpm,得到负载型抗静电剂/聚苯乙烯的混合溶液;将混合溶液在模具中进行浇膜或刮膜,真空干燥脱模后即得测试样件。
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