[发明专利]具有凹进区的近场换能器

权利要求书

1.一种用于磁记录的装置，包括：

近场换能器，位于或接近该装置的空气轴承表面且配置为便于介质上的热辅助磁记录，包括：

放大区，包括等离子体材料且具有接近该空气轴承表面的第一端和与第一端相反的第二端；

磁盘区，邻近该放大区且具有邻近该空气轴承表面的第一端和与第一端相反的第二端，该磁盘区的第一端包括具有面向该空气轴承表面的终点的第一端部分和在该第一端部分下方延伸并超过该第一端部分并且终止于或邻近该空气轴承表面的突出部，该磁盘区包括等离子体材料；

栓柱区，从该磁盘区的第一端的突出部延伸且终止于或邻近该空气轴承表面；以及

相对于该栓柱区凹进的区域，凹进区位于该栓柱区和该放大区的第一端之间。

2.如权利要求1的装置，其中：

该凹进区包括一端表面；以及

该放大区的第一端延伸超过该凹进区的端表面。

3.如权利要求1的装置，其中：

该凹进区包括一端表面；以及

该放大区的第一端大体上与该凹进区的端表面同延。

4.如权利要求1的装置，还包括：

中磁盘区，具有第一端和相反的第二端，该中磁盘区位于该磁盘区和该放大区之间，该中磁盘区的第二端定义了该凹进区的端表面；

其中，该中磁盘区的第二端延伸超过该放大区的第二端。

5.如权利要求4的装置，其中该中磁盘区的第二端延伸超过该放大区的第二端约50至150nm。

6.如权利要求1的装置，其中：

该放大区包括第一平表面和朝向与该第一平表面为非平行关系的相反的第二平表面；以及

该第一平表面邻近该磁盘区。

7.如权利要求1的装置，其中该放大区具有通常其主轴朝向该空气轴承表面的椭圆形。

8.如权利要求1的装置，其中该凹进区相对于该空气轴承表面凹进约50至200nm之间。

9.如权利要求1的装置，其中该栓柱区具有约30和100nm之间的厚度。

10.如权利要求1的装置，其中相对于缺少该凹进区的近场换能器，该凹进区利于在栓柱区处的约30％和40％之间的热梯度的增长。

11.如权利要求10的装置，其中热梯度的增长是在没有可感知的栓柱区温度的增加的情况下实现的。

12.如权利要求1的装置，其中该放大区被配置为用作该近场换能器的散热片。

13.一种用于磁记录的装置，包括：

滑块，配置为利于介质上的热辅助磁记录，包括；

写入器；

读出器；

光波导；以及

接近该波导和该写入器的近场换能器，该近场换能器包括：

放大区，具有朝向介质面对方向的第一端和相反的第二端，该放大区包括等离子体材料；

磁盘区，邻近该放大区且具有朝向该介质面对方向的第一端和相反的第二端，该磁盘区的第一端包括具有朝向该介质面对方向的终点的第一端部分和在该第一端部分下方延伸并超过该第一端部分的突出部，该磁盘区包括等离子体材料；

栓柱区，从该磁盘区的第一端的突出部延伸且朝向该介质面对方向；以及

相对于该栓柱区凹进的区域，凹进区位于该栓柱区和该放大区的第一端之间。

14.如权利要求13的装置，其中：

该凹进区包括一端表面；以及

该放大区的第一端延伸超过该凹进区的端表面。

15.如权利要求13的装置，其中：

该凹进区包括一端表面；以及

该放大区的第一端大体上与该凹进区的端表面同延。