[发明专利]LED芯片切割方法

说明书

本发明提供一种LED芯片切割方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤：对LED芯片进行MESA刻蚀处理；对LED芯片进行掩膜处理；将LED芯片置于激光划片机中；将激光束进行聚焦；将LED芯片沿竖直方向向下移动；对LED芯片进行划片处理；加工出的芯片切口为“U”字形，与传统的加工手段产生的“V”字形切口相比，减少了异物残留，有利于清理，保证了产品的品质。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种LED芯片切割方法。

背景技术

激光切割是利用激光器所发出的高能激光，经过透镜聚焦，在聚焦出达到极高功率密，处于其焦点处的工件受到高功率密度的激光光斑照射，会产生局部高温，使工件材质瞬间汽化和融化，同时通过控制平台带动工件移动，形成一种非接触式的新型切割模式。激光加工由于具有能量集中，热影响区域小，无需接触加工工件，对工件无污染，不受电磁干扰且激光束易于聚集，便于自动化控制等优点，现已广泛应用于半导体、LED和光伏太阳能等许多领域。其中，LED芯片的切割技术受到广泛研究。

长期以来，国内外学者都不断提出各种方案，国内外一些科研院所和公司也对此进行大量研究和实验，取得了一些成果。其中有以美国Newave为主的厂家，通过蓝宝石作为底衬材料采用355nm、266nm 等短波长激光的切割技术，解决了蓝宝石切割难度大的问题，达到了小芯片和窄切割道的目的；还有目前普遍使用的将激光水晶内雕技术运用在蓝宝石切割的皮秒切割设备，提高了芯片亮度，比传统切割技术有了较大的提高。

但是，无论是短波长激光切割还是通过皮秒切割设备切割，通过其切割后产生的切割口为“V”字形，这种“V”字形切口过于狭窄，容易残留碎屑粉末等异物，进而影响芯片的亮度等技术参数，导致芯片漏电甚至产生击穿现象。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种LED芯片切割方法，能够解决“V”字形切口容易残留碎屑粉末等异物的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种LED 芯片切割方法，包括以下步骤：

S1：对LED芯片进行MESA刻蚀处理；

S2：对LED芯片进行掩膜处理；

S3：将LED芯片置于激光划片机中；

S4：将激光束进行聚焦；

S5：将LED芯片沿竖直方向向下移动；

S6：对LED芯片进行划片处理。

所述的步骤S2中的掩膜使用的材料为SiO2。

所述的SiO2厚度为2000Å 。

所述的步骤S4中的聚焦点位于LED芯片上。

所述的步骤S5中移动的距离为2-4μm。

所述的步骤S6中，进行划片时，激光划片机的功率比普通聚焦划片工艺的功率增加10％-15％。

本发明提供了一种LED芯片切割方法，通过改变LED芯片与激光聚焦点的位置，产生“U”字形切口，减少了异物残留，便于清理，从而提高产品品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的加工方式示意图；

图2是本发明的加工结果结构示意图；

图3是所述的短波长激光切割加工结果结构示意图。