[发明专利]减小大宽带低损耗梯形声表滤波器带内波动的方法

说明书

本发明公开了一种减小大宽带低损耗梯形声表滤波器带内波动的方法，包括：在15°YX‑LiNbO₃基片上沉积铜膜制备梯形声表滤波器；选取光刻型聚酰亚胺树脂，并利用套刻工艺，在梯形声表滤波器并联谐振器表面涂覆所述光刻型聚酰亚胺树脂，并进行高温亚胺化处理；从而在梯形声表滤波器并联谐振器表面形成一层聚酰亚胺薄膜。本发明公开的方法可有效抑制带内寄生效应，减小带内波动。

技术领域

本发明涉及声表滤波器技术领域，尤其涉及一种减小大宽带低损耗梯形声表滤波器带内波动的方法。

背景技术

随着人们对信息化需求越来越高，高速率、大容量成为未来信息交流的一个发展方向，为满足这一发展要求，作为通信领域关键元器件之一的声表面波滤波器必须向大带宽、低损耗、高矩形度、小型化方向发展。

常规的实现大带宽、低损耗的声表滤波器基片材料为41°LiNbO3，其机电耦合系数为17％左右，可实现最大3dB相对带宽为7％～8％，损耗约为4dB。而对于15oYX-LiNbO3材料，其机电耦合系数达到25％～30％，可实现最大3dB相对带宽为20％～21％，损耗约为1dB。国际上有学者采用梯形设计方法结合Y15-LiNbO3材料和Cu膜工艺制备大带宽、低损耗器件，相对带宽可达到19％，损耗约为0.61dB，但由于瑞利波和横向模式的谐振引入杂散信号，在带内形成寄生响应，导致带内波动约为8dB，通过假指加权抑制横向模式的谐振以及并联臂涂覆光刻胶抑制并联臂瑞利波的方式将带内波动减小为4dB左右，但光刻胶具有腐蚀性，产品难以实现工程化应用。

除此之外，国内外还没有其它有效的方法抑制横向模式的谐振和并联臂的瑞利波，在此背景下，必须寻找合适的方法抑制瑞利波和横向模式的谐振，减小带内波动，保证器件满足使用要求。

发明内容

本发明的目的是提供一种减小大宽带低损耗梯形声表滤波器带内波动的方法，可有效抑制带内寄生效应，减小带内波动。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种减小大宽带低损耗梯形声表滤波器带内波动的方法，包括：

在15°YX-LiNbO₃基片上沉积铜膜制备梯形声表滤波器；

选取光刻型聚酰亚胺树脂，并利用套刻工艺，在梯形声表滤波器并联谐振器表面涂覆所述光刻型聚酰亚胺树脂，并进行高温亚胺化处理；

从而在梯形声表滤波器并联谐振器表面形成一层聚酰亚胺薄膜。

进一步的，所述套刻工艺包括：匀胶、前烘、光刻、中烘、显影、漂洗与甩干。

进一步的，套刻工艺的执行步骤与条件包括：

匀胶采用甩胶法，分两步；匀胶条件为：第一步转速500～1000rpm，时间5～10s；第二步转速3000～6000rpm，时间15～25s；

前烘条件为：温度90～120℃，时间10～20min；

光刻曝光剂量：40～90mJ/cm²；

中烘条件为：温度80～100℃，时间5～10min；

显影条件为：室温，40～70s；

漂洗条件为专用漂洗液，室温，10～40s；

甩干条件为第一步(500～1000)rpm×(2～8)s，第二步(3000～6000)rpm×(5～10)s。

进一步的，所述高温亚胺化处理时，使用真空烘箱烘烤或充氮气烘烤。

进一步的，所述高温亚胺化处理分为五步，每一步的条件为：

第一步条件为：温度70～90℃，时间110～130min；