[发明专利]去除基板表面ITO的方法有效
| 申请号： | 201510937453.1 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105448822B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张迅;张伯伦;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/465 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板表面 去除 酸液 重量百分比 碱液 酸洗 非离子表面活性剂 醋酸 基板放置 基板破裂 基板清洗 基板 碱洗 盐酸 浸泡 安全 | ||
1.一种去除基板表面ITO的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将表面有ITO的基板放置于酸液中浸泡进行酸洗，所述酸液按重量百分比计，包括20％～25％的盐酸、30％～35％的醋酸及40％～50％的水；及
将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中进行碱洗得到除去ITO的基板，所述碱液按重量百分比计，包括8％～10％的碱、15％～20％的非离子表面活性剂及70％～77％的水。
2.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，所述酸洗的时间为5分钟～10分钟。
3.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，所述酸洗的操作中，在所述酸液中进行鼓泡处理。
4.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，所述将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液的操作中，将所述表面有ITO的基板放置于流动的纯水中清洗8分钟～10分钟。
5.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，所述碱洗的时间为5分钟～10分钟。
6.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，所述碱选自氢氧化钾及氢氧化钠中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、聚丙烯酰胺、烷基酚聚氧乙烯醚及脂肪酸聚氧乙烯酯中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦及聚山梨酯中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，在所述将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中进行碱洗得到除去ITO的基板的步骤之后还包括步骤：将所述除去ITO的基板用水喷淋3分钟～5分钟。
10.根据权利要求9所述的去除基板表面ITO的方法，其特征在于，还包括步骤：将所述除去ITO的基板用水喷淋3分钟～5分钟后，依次进行水清洗、碱溶液清洗、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋将所述除去ITO的基板表面清洗干净，之后干燥处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
