[发明专利]Orai1基因沉默在血管内皮细胞钙超载损伤中的应用在审

专利信息
申请号: 201510936401.2 申请日: 2015-12-16
公开(公告)号: CN105477637A 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 孙荣距;肖建国;陈威;黎檀实 申请(专利权)人: 孙荣距
主分类号: A61K45/00 分类号: A61K45/00;A61P31/04
代理公司: 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 代理人: 石荣华
地址: 100000*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: orai1 基因 沉默 血管 内皮 细胞 超载 损伤 中的 应用
【说明书】:

技术领域

发明属于基因工程技术领域,具体涉及Orai1基因沉默在血管内皮细胞钙超载 损伤中的应用。

背景技术

已知钙离子通道Orai1介导的钙池可控性钙通道或钙离子释放活化钙通道 (store-operatedcalcium/calciumreleaseactivatedcalcium,SOC/CRAC)是非兴奋 性细胞钙离子内流的主要机制。革兰氏阴性细菌及其释放的内毒素造成的菌血症、内毒素 血症直接作用于血管内皮细胞,导致血管内皮细胞损伤及功能障碍,毛细血管通透性增加, 炎症介质释放,启动脓毒症的发生,因此血管内皮细胞受损是脓毒症发生的始动信号,居于 中心环节。在此背景基础上,我们创新的发现:Orai1介导的钙池可控性钙离子内流机制 (store-operatedcalciumentry,SOCE)直接造成全身毛细血管内皮细胞钙超载损伤,启 动脓毒症的发生。而针对Orai1的靶向性药物可以有效的阻断Orai1介导的SOCE机制,从而 逆转血管内皮细胞钙超载损伤,有效的治疗脓毒症。

发明内容

针对现有技术对治疗脓毒症存在的技术难题,本发明的目的在于提供利用Orai1 基因沉默的方法达到治疗血管内皮细胞钙超载损伤的目的。

本发明具体通过以下技术方案实现:

本发明提供了Orai1基因沉默在血管内皮细胞钙超载损伤中的应用。

本发明所述的Orai1基因作为治疗血管内皮细胞钙超载损伤药物靶点的应用。

本发明所述的血管内皮细胞钙超载损伤为致脓毒症血管内皮细胞钙超载损伤。

本发明通过Orai1基因敲除小鼠脓毒症模型的研究,创新发现Orai1介导的SOCE机 制是造成脓毒症血管内皮细胞钙超载损伤的主要机制,而Orai1介导的SOC钙通道是细菌内 毒素的主要攻击靶点之一,即细菌内毒素LPS活化血管内皮细胞膜上的Orai1介导的SOC钙 通道从而导致细胞外钙离子内流,引起细胞内钙超载损伤。

本发明所述的Orai1基因用于作为治疗脓毒症药物靶点的用途,起到靶向作用,其 中所述的治疗药物为抗感染类药物或重组人活化蛋白C,所述抗感染类药物为抗生素类、抗 真菌类、抗病毒类、抗支原体类、抗肿瘤类或免疫抑制剂;其中所述抗生素类为β-内酰胺 类、氨基糖甙类、四环素类、酰胺醇类或大环内脂类,所述抗真菌类为多烯类、三唑类、嘧啶 类或棘白菌素类。

所述的治疗药物与医药可接受的载体制备成药物制剂,其中所述药用载体可以是 pH缓冲系统,渗透压调节剂,防腐剂,稳定剂等辅助成分,优选自:磷酸钠(Sodium Phosphate)、琥珀酸钠(SodiumSuccinate)、组氨酸(Histidine)、甘露醇(Mannitol)、聚 山梨醇酯20/80(Polysorbate20/80)、氯化钠(SodiumChloride)、蔗糖(Sucrose)、三羟甲 基氨基甲烷(Trometamol)和乳糖等。

所述的药物制剂为溶液制剂或干粉制剂,所述药物制剂的给药形式为静脉给药, 皮下注射,腹腔内注射或肌肉注射。

本发明的有益效果为:经试验证明,Orai1介导的SOC/CRAC机制是脓毒症血管内皮 细胞钙超载损伤的主要机制以及药物作用靶点,针对Orai1的靶向性药物可以有效的阻断 Orai1介导的SOCE机制,从而逆转血管内皮细胞钙超载损伤,有效的治疗脓毒症,为治疗脓 毒症的靶向药物提供技术支持。

附图说明

以下结合附图所示实施例的具体实施方式,对本发明的上述内容再作进一步的详 细说明。

图1为Orai1表达对脓毒症(CLP模型)小鼠肺血管内皮细胞钙超载的影响。

图2为Orai1调控TLR4介导的钙离子内流。

图3为NFkB表达水平(NFkBmRNA)。

图4为[Ca]2+level为钙离子内流曲线。

图5为Orai1基因沉默对脓毒症小鼠生存率的影响。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步的说明,以下所述,仅是对本发明的较佳实施 例而已,并非对本发明做其他形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示 的技术内容加以变更为同等变化的等效实施例。凡是未脱离本发明方案内容,依据本发明 的技术实质对以下实施例所做的任何简单修改或等同变化,均落在本发明的保护范围内。

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