[发明专利]一种用于监测集成电路NBTI老化效应的数字型监测电路

权利要求书

1.一种用于监测集成电路NBTI老化效应的数字型监测电路，其特征在于包括用于产生参考信号的第一传感器、用于产生老化信号的第二传感器、相位偏差比较器、比较电路和输出电路，所述的比较电路具有使能端、第一输入端、第二输入端、第三输入端、第四输入端和输出端，所述的第一传感器的输出端和所述的比较电路的第一输入端连接，所述的相位偏差比较器的输出端分别与所述的比较电路的第二输入端、所述的比较电路的第三输入端和所述的比较电路的使能端连接，所述的第二传感器的输出端和所述的比较电路的第四输入端连接，所述的比较电路的输出端和所述的输出电路连接，所述的第一传感器和所述的第二传感器采用电路结构完全相同的两个VCO电路来实现；

所述的第一传感器采用的VCO电路为制作完成后未使用的VCO电路，所述的第二传感器采用的VCO电路为制作完成后接入工作电压使用一段时间后的VCO电路；所述的第一传感器实时感应集成电路的老化状况并生成老化参考数据输送给所述的比较电路，所述的第二传感器实时感应集成电路的老化状况并生成老化监测数据发送给所述的比较电路，所述的比较电路对老化参考数据和老化监测数据进行比较，得到集成电路的实时老化数据，该实时老化数据通过所述的输出电路输出。

2.根据权利要求1所述的一种监测集成电路NBTI老化效应的数字型监测电路，其特征在于所述的相位偏差比较器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一缓冲器、第二缓冲器和第三缓冲器；

所述的第一PMOS管的栅极和所述的第一NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的相位偏差比较器的输入端，所述的相位偏差比较器的输入端用于接入门控信号，所述的第一PMOS管的源极、所述的第六NMOS管的漏极、所述的第四PMOS管的源极和所述的第八NMOS管的漏极均接入电源，所述的第一PMOS管的漏极和所述的第二PMOS管的漏极连接，所述的第二PMOS管的栅极、所述的第三NMOS管的栅极、所述的第五NMOS管的栅极和所述的第六PMOS管的栅极连接且连接端为所述的相位偏差比较器的使能端，所述的相位偏差比较器的使能端接入所述的第二传感器输出的老化参考数据，所述的第二PMOS管的源极、所述的第三PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的漏极和所述的第一缓冲器的输入端连接，所述的第三PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极、所述的第五PMOS管的栅极和所述的第七NMOS管的栅极连接且其连接端接入所述的第二传感器输出的老化参考数据的反相信号，所述的第三PMOS管的源极和所述的第六NMOS管的源极连接，所述的第六NMOS管的栅极、所述的第七PMOS管的栅极、所述的第四PMOS管的栅极、所述的第四NMOS管的栅极和所述的第一缓冲器的输出端连接，所述的第四PMOS管的漏极和所述的第五PMOS管的漏极连接，所述的第五PMOS管的源极、所述的第五NMOS管的漏极、所述的第六PMOS管的漏极、所述的第七NMOS管的漏极和所述的第二缓冲器的输入端连接，所述的第六PMOS管的源极和所述的第八NMOS管的源极连接，所述的第八NMOS管的栅极、所述的第八PMOS管的栅极、所述的第二缓冲器的输出端和所述的第三缓冲器的输入端连接，所述的第三缓冲器的输出端为所述的相位偏差比较器的输出端，所述的第一NMOS管的源极、所述的第七PMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的源极和所述的第八PMOS管的漏极均接地，所述的第一NMOS管的漏极和所述的第二NMOS管的源极连接，所述的第三NMOS管的源极和所述的第七PMOS管的源极连接，所述的第四NMOS管的漏极和所述的第五NMOS管的源极连接，所述的第七NMOS管的源极和所述的第八PMOS管的源极连接。