[发明专利]一种低电源电压二次变频射频接收前端

权利要求书

1.一种低电源电压二次变频射频接收前端，包括低电压射频跨导放大器、二次变频混频开关对和跨阻放大器，其特征在于：二次变频混频开关将第一次变频单元和第二次变频单元直接级联，第二次变频单元将跨阻放大器的低输入阻抗搬移到中间频率，构造出对射频电流的带通滤波功能；两次变频后的射频电流经跨阻放大器转换为输出中频电压。

2.根据权利要求1所述的低电源电压二次变频射频接收前端，其特征在于：所述低电压射频跨导放大器包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一参考电流源I1和第二参考电流源I2；

第一NMOS管MN1的栅极和漏极短接，源极接地；

第二NMOS管MN2的源极接地，栅极接第五电阻R5的正极，漏极接第一PMOS管MP1的漏极；第五电阻R5的负极接第一NMOS管MN1的漏极；

第三NMOS管MN3的源极接地，栅极接第六电阻R6的正极，漏极接第二PMOS管MP2的漏极；第六电阻R6的负极接第一NMOS管MN1的漏极；

第一PMOS管MP1的源极接电源VDD，栅极接第一电阻R1的正极；

第二PMOS管MP2的源极接电源VDD，栅极接第二电阻R2的正极；

第一电容C1的正极接第一NMOS管MN1的漏极，负极接地；

第二电容C2的正极接输入电压正极INP，负极接第三NMOS管MN3的栅极；

第三电容C3的正极接输入电压负极INN，负极接第二NMOS管MN2的栅极；

第四电容C4的正极接第二NMOS管MN2的栅极，负极接第一NMOS管MN1的栅极；

第五电容C5的正极接第三NMOS管MN3的栅极，负极接第二NMOS管MN2的栅极；

第一参考电流源I1的正极接电源VDD，负极接第一NMOS管MN1的漏极；

第二参考电流源I2的正极接第一电阻R1的负极、第二电阻R2的负极、第三电阻R3的负极和第四电阻R4的负极，负极接地；第三电阻R3的正极接第一PMOS管MP1的漏极，第四电阻R4的第二PMOS管MP2的漏极。