[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域，凸出于所述第一区域衬底的鳍部为第一鳍部，凸出于所述第二区域衬底的鳍部为第二鳍部；

在所述第一鳍部表面形成第一伪栅结构并在所述第二鳍部表面形成第二伪栅结构，其中，所述第一伪栅结构包括栅氧化层和第一伪栅电极层，所述第二伪栅结构包括伪栅氧化层和第二伪栅电极层；

在所述半导体基底表面形成介质层，所述介质层与所述第一伪栅结构和第二伪栅结构齐平并露出所述第一伪栅电极层和第二伪栅电极层；

去除所述第一伪栅电极层，暴露出部分栅氧化层并在所述介质层内形成第一开口，去除所述第二伪栅电极层，暴露出部分伪栅氧化层并在所述介质层内形成第二开口；

对所述第一开口底部的栅氧化层以及所述第二开口底部的伪栅氧化层进行第一退火工艺；

第一退火工艺后，对所述第一开口底部的栅氧化层以及所述第二开口底部的伪栅氧化层进行掺氮工艺；

所述掺氮工艺之后，去除所述第二开口底部的伪栅氧化层，暴露出所述第二鳍部的部分表面；

去除所述第二开口底部的伪栅氧化层之后，对所述第一鳍部和第二鳍部进行第二退火工艺；

第二退火工艺后，在所述栅氧化层表面、第一开口侧壁以及第二开口的底部和侧壁上形成栅介质层；

在所述第一开口和第二开口中填充金属层，位于所述第一开口中的栅氧化层、栅介质层和金属层用于构成第一栅极结构，位于所述第二开口中的栅介质层和金属层用于构成第二栅极结构；

去除所述第二开口底部的伪栅氧化层之后，对所述第一鳍部和第二鳍部进行第二退火工艺之前，还包括：对所述第一开口底部的栅氧化层以及第二开口底部的第二鳍部表面进行栅氧化层生长表面处理工艺；

所述栅氧化层生长表面处理的工艺参数包括：功率为300瓦至600瓦，压强为10毫托至30毫托，工艺时间为10秒至30秒，反应气体为氮气，辅助气体为氦气，氮气的气体流量为50每分钟标准毫升至120每分钟标准毫升，氦气的气体流量为80每分钟标准毫升至150每分钟标准毫升。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层和伪栅氧化层的材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述栅氧化层和伪栅氧化层的工艺为原位蒸汽生成氧化工艺。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述原位蒸汽生成氧化工艺的工艺参数包括：提供O₂和H₂，O₂流量为1sccm至30sccm，H₂流量为1.5sccm至15sccm，腔室温度为700摄氏度至1200摄氏度。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一退火工艺为快速热退火工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一退火工艺的工艺参数包括：退火温度为700摄氏度至1000摄氏度，工艺时间为5秒至20秒，压强为50托至300托，反应气体为氧气，辅助气体为氮气，氧气与氮气的气体流量比值为1：20至1：5。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述掺氮工艺为等离子体氮化工艺。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述掺氮工艺的工艺参数包括：功率为600瓦至1000瓦，压强为10毫托至30毫托，工艺时间为10秒至30秒，反应气体为氮气，辅助气体为氦气，氮气的气体流量为50每分钟标准毫升至120每分钟标准毫升，氦气的气体流量为80每分钟标准毫升至150每分钟标准毫升。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二退火工艺为等离子体氮化退火工艺。