[发明专利]压环、预清洗腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种压环，其特征在于，应用在预清洗腔室中，在所述预清洗腔室内设置有基座，所述基座包括用于承载晶片的承载面；所述压环用于利用自身重力压住晶片上表面的边缘区域，从而实现对所述晶片的固定；并且，通过向所述承载面与所述晶片的下表面之间输送冷却气体，来冷却所述晶片；

所述压环包括负重体和绝缘体，其中，所述负重体采用金属制作，以在输送冷却气体时，使所述压环的整体重量足以承受所述承载面与所述晶片下表面之间的气压；所述绝缘体包覆所述负重体，以避免等离子体轰击所述负重体；

所述压环还包括沿其周向间隔分布的多个压爪，所述多个压爪叠置在所述晶片的边缘区域，所述压爪的内径自下而上逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述绝缘体为环体，所述负重体嵌在所述绝缘体内。

3.根据权利要求2所述的压环，其特征在于，所述负重体为环体，且与所述绝缘体同心设置；或者，

所述负重体由多个块状体组成，且沿所述绝缘体的周向间隔分布。

4.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述负重体为环体，所述绝缘体为壳体，且嵌套在所述负重体的外环表面和上表面；

在所述负重体的内环表面上喷涂绝缘层。

5.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述负重体为环体，所述绝缘体为分别喷涂在所述负重体的外环表面、上表面和内环表面上的绝缘层。

6.一种预清洗腔室，包括设置在其内的基座，所述基座包括用于承载晶片的承载面，其特征在于，还包括压环，所述压环采用权利要求1-5任意一项所述的压环，用于利用自身重力压住晶片上表面的边缘区域，从而实现对所述晶片的固定；并且，通过向所述承载面与所述晶片的下表面之间输送冷却气体，来冷却所述晶片。

7.根据权利要求6所述的预清洗腔室，其特征在于，所述预清洗腔室还包括绝缘环，所述绝缘环环绕在所述基座的边缘处，用以遮挡所述基座的外周壁与所述压环的内环面之间的间隙；

所述绝缘环的上表面不高于所述承载面。

8.根据权利要求6所述的预清洗腔室，其特征在于，所述预清洗腔室还包括冷却气路，所述冷却气路设置在所述基座内，用于向所述承载面与所述晶片的下表面之间输送冷却气体。

9.一种半导体加工设备，包括预清洗腔室，在所述预清洗腔室的顶部设置有线圈，通过向所述线圈加载射频功率，来激发所述预清洗腔室内的反应气体形成等离子体，其特征在于，所述预清洗腔室采用权利要求6-8任意一项所述的预清洗腔室，并且，通过向所述基座加载射频偏压，而使所述等离子体朝向所述晶片运动。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备。