[发明专利]一种高绝缘高强度聚酰亚胺黑膜的制备方法

权利要求书

1.一种高绝缘高强度聚酰亚胺黑膜的制备方法，包括如下步骤：

（1）将二胺放入反应釜中，并用溶剂溶解，然后再往反应釜中加入等摩尔总量的由均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐以及三苯二醚二酐组成的二酐混合物，搅拌后制备成聚酰胺酸溶液，其中上述二酐混合物中按摩尔比计的配比分别是60%-80%的均苯四甲酸二酐、10%-20%的3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐以及10%-20%的三苯二醚二酐；

（2）将由黑色填料、消光剂、偶联剂组成的添加剂加入到溶剂中，充分搅拌制备成黑色颜料浆料，其中偶联剂占添加剂重量比的0.2%-2%，消光剂占添加剂重量比的10%-20%；

（3）将黑色颜料浆料加入上述制备的聚酰胺酸溶液的反应釜中，其中由黑色填料、消光剂、偶联剂组成的添加剂与聚酰胺酸的重量比为0.5%-5%；然后加入溶剂调节控制最后反应生成物的粘度达到90000±5000cP，然后脱泡流延成膜即可。

2.根据权利要求1所述高绝缘高强度聚酰亚胺黑膜的制备方法，其特征是所述溶剂是二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述高绝缘高强度聚酰亚胺黑膜的制备方法，其特征是所述二胺为4,4-二氨基二苯醚、对苯二胺、4,4-二氨基二苯基甲烷中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述高绝缘高强度聚酰亚胺黑膜的制备方法，其特征是所述黑色填料为炭黑、氧化钛或碳纤维粉中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述高绝缘高强度聚酰亚胺黑膜的制备方法，其特征是所述偶联剂为硅烷偶联剂，是γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-（2,3环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-β-（氨乙基）-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β（氨乙基）-γ-氨丙基二甲氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述高绝缘高强度聚酰亚胺黑膜的制备方法，其特征是所述消光剂是硫酸钡、氧化铝、二氧化硅中的一种或几种。