[发明专利]一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法在审

申请号：	201510915597.7	申请日：	2015-12-09
公开（公告）号：	CN105470316A	公开（公告）日：	2016-04-06
发明（设计）人：	孙海平;刘仁中;王海超;张斌	申请（专利权）人：	合肥海润光伏科技有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/18
代理公司：	南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204	代理人：	柏尚春
地址：	安徽省合肥市新站***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	一种背面点接触晶体太阳能电池及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种背面点接触晶体硅太阳能电池，其特征在于：从正面至反面依次包括正面电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、P型硅基体、复合钝化层、背面非烧穿型铝层和烧穿型局域铝层，其中所述复合钝化层为AlOx&SiNx，AlOx&SiOx，SiOx&SiNx或AlOx&TiOx，所述磷扩散层方阻阻值为20-150ohm/sq。

2.根据权利要求1所述的一种背面点接触晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述P型硅基体的电阻率为0.5-6ohm·cm。

3.根据权利要求1或2所述的一种背面点接触晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述电池背表面印刷有铝层或PVD蒸镀铝。

4.一种背面点接触晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

P型硅基体去损伤并制绒，清洗；

管式磷扩散，扩散方阻阻值为20-150ohm/sq；

采用532nm绿光激光利用磷硅玻璃作为掺杂源实现选择性发射结，激光掺杂区方阻为55ohm/sq；

采用湿法inline设备去除背面磷硅玻璃，将电池背面抛光，去除正面磷硅玻璃后采用1%HF溶液清洗；

在硅片的前表面用PECVD的方法生长氮化硅减反膜；

在硅片的背表面用PECVD的方法生长AlOx&SiNx，AlOx&SiOx，SiOx&SiNx或AlOx&TiOx复合钝化膜；

在硅片的背面喷墨打印烧穿型铝浆，其图形为60um直径的点阵，并烘干；

在硅片的背表面印刷背电极及铝背场，在硅片的前表面印刷银栅线；

烧结，测试。