[发明专利]有机发光二极管照明面板及其制备方法和应用有效
申请号: | 201510908661.9 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN105355648B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 赵长征;罗志忠;周斯然;敖伟;刘金强 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极管 照明面板 辅助电极材料 绝缘层 制备 绝缘材料层 第一电极 制备方法和应用 辅助电极层 基板 涂布绝缘材料 图案形成 刻蚀 去除 生产成本 图案 申请 | ||
本发明涉及一种有机发光二极管照明面板及其制备方法和应用。有机发光二极管照明面板的制备方法包括如下步骤:在基板上形成第一电极层;在第一电极层上形成辅助电极材料层;在辅助电极材料层上涂布绝缘材料层;在绝缘材料层开设第一图案,得到绝缘层;在辅助电极材料层上刻蚀第二图案形成辅助电极层。上述有机发光二极管照明面板的制备方法,首先在基板上形成第一电极层,之后在形成辅助电极层的过程中,并未去除涂布在辅助电极材料层上的绝缘材料层,而是将绝缘材料层用作绝缘层,因此,本申请的有机发光二极管照明面板的制备方法减少了额外制备绝缘层的工艺,因此,有利于减少生产成本。
技术领域
本发明涉及有机发光器件领域,特别是涉及一种有机发光二极管照明面板及其制备方法和应用。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emission Diode,简称OLED)是一种利用用于发光的有机发光二极管来显示图像的自发射显示器,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
传统的OLED阳极普遍采用透明导电材料如ITO等材料来制备,透明导电材料的电阻较高,随着显示面板面积的增大,电流流过透明导电材料时会产生电压降,造成照明面板内亮度不均匀。为了改善亮度不均匀的现象,通常的做法是在整个ITO阳极上细密的布置金属网格做辅助电极。
然而,传统的带有辅助电极的OLED照明面板的制备方法为在玻璃基板上先沉积ITO和辅助电极,然后光刻依次形成ITO图形、辅助电极图形和绝缘层图形,共需要采用三次光刻的方法,即ITO的光刻制程、布置辅助电极需要一次光刻过程、以及绝缘层需要一次光刻(限定发光区的范围),导致成本较高。
发明内容
基于此,有必要针对传统的OLED照明面板的制备方法成本较高的问题,提供一种减少成本的OLED照明面板的制备方法。
一种有机发光二极管照明面板的制备方法,包括如下步骤:
在基板上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成辅助电极材料层;
在所述辅助电极材料层上涂布绝缘材料层;
在所述绝缘材料层开设第一图案,得到绝缘层;
在所述辅助电极材料层上刻蚀第二图案形成辅助电极层。
与传统的有机发光二极管照明面板的制备方法相比,上述有机发光二极管照明面板的制备方法,首先在基板上形成第一电极层,之后在形成辅助电极层的过程中,并未去除涂布在辅助电极材料层上的绝缘材料层,而是将绝缘材料层用作绝缘层,因此,本申请的有机发光二极管照明面板的制备方法减少了额外制备绝缘层的工艺,因此,有利于减少生产成本。
在其中一个实施例中,在所述绝缘材料层开设第一图案的操作为:将带有第一图案的掩膜版覆盖在所述绝缘材料层的表面,对所述绝缘材料层依次进行曝光、显影和烘干操作。
在其中一个实施例中,所述绝缘层的材质为光刻胶。
一种有机发光二极管照明面板,包括:
基板;
第一电极层,设置在所述基板上;
辅助电极层,设置在所述第一电极层上,并与所述第一电极层电连接;
绝缘层,设置在所述辅助电极层远离所述第一电极层的表面,且所述绝缘层远离所述辅助电极层的侧面,以及所述绝缘层与所述辅助电极层的相对面在所述基板上的投影覆盖所述辅助电极层与所述绝缘层的相对面在所述基板上的投影。
在其中一个实施例中,所述绝缘层的材质为光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的