[发明专利]一种二硒化钼/二氧化钛复合材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种二硒化钼/二氧化钛复合材料；其特征在于：所述复合材料中，二氧化钛与二硒化钼的摩尔比为1‐3：1；所述二硒化钼均匀包覆在二氧化钛的表面；所述二硒化钼/二氧化钛复合材料的制备方法，包括下述步骤：

步骤一

按摩尔比Se：Mo＝1.9‐2.1：1，配取Se源、Mo源；将配取的Se源与还原剂A混合均匀后，得到含有Se的悬浮溶液A，备用；所述还原剂A的用量为：将所配取Se源完全还原成Se^2‐的所需理论用量的1.0倍以上；所述Mo源为可溶性盐，且Mo的价态为正六价；

步骤二

以宽度为50‐400nm、长度为1‐10um的二氧化钛为承载体；以步骤一所配取的Mo源为参照物；按摩尔比，Mo：Ti＝0.45‐0.65：1，配取承载体；

按摩尔比，承载体：粘接剂＝0.45‐0.55：1，配取粘接剂，所述粘接剂为单糖和/或低聚糖；

然后将配取的Mo源、承载体、粘接剂混合均匀并制备成悬浊液；

步骤三

将溶液A与悬浊液混合均匀后，在190‐210℃进行水热反应后固液分离，所得固体经清洗、干燥后在保护气氛下，于600‐700℃煅烧，得到二硒化钼/二氧化钛复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种二硒化钼/二氧化钛复合材料；其特征在于：所述复合材料中，二氧化钛以纳米带的形式分布于复合材料中，所述纳米带的宽度为50‐400nm、长度为1‐10um。

3.根据权利要求1所述的一种二硒化钼/二氧化钛复合材料；其特征在于：二硒化钼以纳米片包覆在二氧化钛上，且包覆在二氧化钛上的二硒化钼纳米片的层数为3‐7层。

4.根据权利要求1所述的一种二硒化钼/二氧化钛复合材料；其特征在于：步骤一中，

Mo源为可溶性钼酸盐；Se源为Se粉；还原剂A为水合肼；

所述悬浮溶液A中Se元素的浓度为0.12‐0.16mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种二硒化钼/二氧化钛复合材料；其特征在于：步骤二中，所述承载体是通过下述步骤制备的：

步骤A

按1g固体加入90‐110mL液体的比例，将二氧化钛粉末加入碱液中，搅拌均匀，在170‐190℃进行水热反应后，抽滤，抽滤所得固体经干燥后，得到原始产物；

步骤B

对步骤A所得原始产物依次进行酸洗、水洗，直至洗脱液呈中性后，干燥，得到洗脱后的原始产物；

步骤C

将步骤B所得洗脱后的原始产物置于烧结炉内，在490‐510℃烧结，得到宽度为50‐400nm、长度为1‐10um的二氧化钛；即得承载体；

步骤A中，所述二氧化钛粉末的粒径为25nm；所述二氧化钛粉末为锐钛矿相二氧化钛粉末。

6.根据权利要求5所述的一种二硒化钼/二氧化钛复合材料；其特征在于；

步骤A中，所述碱液中氢氧根离子的浓度为9‐11mol/L、水热反应的时间为24‐48小时、水热反应完成后，随炉冷却到室温，然后通过真空抽滤，抽滤所得固体放于干燥箱中，于50‐70℃干燥8‐10h；得到原始产物；

步骤B中，所述酸洗所用的酸液优选浓度为0.05‐0.15mol/L的稀盐酸；

步骤C中，将原始产物置于刚玉材质的容器中，在490‐510℃烧结2‐3小时后，随炉冷却至室温，即可得到宽度为50‐400nm、长度为1‐10um的二氧化钛纳米带；即得承载体；所述承载体表面粗糙的二氧化钛纳米。

7.根据权利要求1所述的一种二硒化钼/二氧化钛复合材料；其特征在于；

步骤二所述悬浊液中，二氧化钛的浓度为1.9‐2.1g/L；Mo元素的浓度为0.012‐0.016mol/L；

步骤三中，将溶液A与悬浊液混合均匀后，在190‐210℃进行水热反应24‐25小时后，随炉冷却至室温；得到含前驱体的混合液；含前驱体的混合液经固液分离，得到前驱体；前驱体经清洗后，干燥得到黑色样品；所得黑色样品在保护气氛下，于600‐700℃煅烧2‐3小时，得到二硒化钼/二氧化钛复合材料；所述保护气氛为氩气气氛。

8.一种如权利要求1‐7任意一项所述二硒化钼/二氧化钛复合材料的应用；其特征在于：包括应用于含有该复合材料的电器元件。

9.根据权利要求8所述的一种二硒化钼/二氧化钛复合材料的应用；其特征在于：所述电器元件为锂电池的负极。