[发明专利]一种覆晶薄膜(COF)封装方法有效
| 申请号： | 201510906810.8 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105551986A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 cof 封装 方法 | ||
1.一种覆晶薄膜(COF)封装方法，其特征在于，包括：
在芯片功能区上形成多个第一金属凸点；
在柔性电路板金属层上形成多个第二金属凸点；
在所述第一金属凸点或所述第二金属凸点上涂上导电胶柱；
将所述多个第一金属凸点和所述多个第二金属点一一相向对应并 通过所述导电胶柱连接；以及
在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封 体。
2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，还包括压合所述芯片和所述柔性电路板，使所述第一金属凸点 和所述第二金属凸点对所述导电胶柱施加一个垂直方向的压力。
3.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述导电胶柱材料为异方向性导电胶。
4.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述第一金属凸点和所述第二金属凸点的材料为金属铜。
5.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述第一金属凸点、第二金属凸点和导电胶柱均为圆形柱体。
6.根据权利要求5所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述第一金属凸点、所述导电胶柱和所述第二金属凸点的轴线 在一条直线上。
7.根据权利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述导电胶柱的截面直径大于所述第一金属凸点和所述第二金 属凸点的截面直径。
8.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述塑封体填料包覆所述第一金属凸点、所述第二金属凸点和 所述导电胶柱。
9.根据权利要求1-8任一所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法， 其特征在于，所述塑封体填料的材料为环氧树脂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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