[发明专利]一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器在审
| 申请号： | 201510906521.8 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105549133A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 薛春华;张冶文;孙勇;陈鸿;江海涛 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 特异 材料 红外 全向 吸收 | ||
1.一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器，其特征在于，该吸收器 包括金属基底，在金属基底上设有周期层叠设置的薄硅薄膜与氧化铟锡薄膜，在最 上层氧化铟锡薄膜上设有周期层叠设置的厚硅薄膜与氮化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的薄硅薄膜与氧化铟锡薄膜共有5个周期层叠。
3.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的厚硅薄膜与氮化硅薄膜共有4个周期层叠。
4.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的厚硅薄膜与氮化硅薄膜周期层叠后作为布拉格反射镜。
5.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的薄硅薄膜的折射率为3.48，厚度为25纳米。
6.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的氧化铟锡薄膜是一种透明导电薄膜，厚度为25纳米。
7.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的厚硅薄膜的折射率为3.48，厚度为112纳米。
8.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的氮化硅薄膜的折射率为2.0，厚度为232纳米。
9.根据权利要求1所述的一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器， 其特征在于，所述的金属基底为银，作为吸收层使用。
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