[发明专利]一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置在审
| 申请号： | 201510904680.4 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105369346A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王林;高润飞;宋都明;陈建梅;张寿星;张颂越;王淼 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直拉重掺砷低 电阻 硅单晶 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置，包括热屏内胆（1）、热屏外胆（2）、石英锅（3）、碳毡（4）、石英环（5）、石英环导向管（6），其特征在于：石英环（5）为用高纯石英拉制出的石英管（5-1）和在其上有数根石英环导气管（5-2）导通管，且数根石英环导气管（5-2）相对石英管（5-1）成垂直弯曲，热屏内胆（1）、碳毡（4）、热屏外胆（2）上有与石英环导气管（5-2）数量相同的通孔，石英环导向管（6）固定于孔内，使石英环导向管（6）外壁距石英锅（3）内壁20-100mm,石英环导气管（5-2）插于石英环导向管（6）内并可自由滑动，使用时，砷置于石英管（5-1）内，通过在炉盖上安装的提升装置使石英环上下升降于石英锅（3）内硅熔液液面之上。
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