[发明专利]CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法在审
| 申请号: | 201510898263.3 | 申请日: | 2015-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN105540663A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
| 发明(设计)人: | 刘曰利;陈克强;陈文;周静;佳丽娜·扎哈若娃 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
| 主分类号: | C01G30/00 | 分类号: | C01G30/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
| 地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cusbs sub 纳米 材料 可控 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于纳米材料与纳米技术领域,具体涉及一种CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法。
背景技术
半导体纳米晶材料由于较小的尺寸而产生量子尺寸效应,导致其光学、电学等特性与其体材料有明显的差异,并且随着尺寸的进一步减小,差异逐渐增加。这一独特的性质使得半导体纳米晶材料得到广泛的应用,如太阳能电池、发光二极管等。在过去的几十年中,对于半导体量子点的合成及形成机理的研究,拓宽半导体纳米晶材料的种类。目前,硫化镉、硫化铅及铜铟硫等纳米晶材料已被大量的研究,并得到了巨大的应用。近年来,CuSbS2材料由于其不含有毒或稀有元素,被认为是一种理想的绿色太阳能电池材料,得到了广泛的研究,有望替代目前所使用的硫化镉、硫化铅及铜铟硫等材料。CuSbS2材料具有较大的光吸收系数(>105cm-1),同时还具有较小的禁带宽度(~1.1eV),这些优良的特性非常适合作为太阳能电池材料。因此,对于CuSbS2材料的研究具有重要意义。目前对于CuSbS2材料的研究还相对较少,对于CuSbS2纳米晶材料的合成过程还处于探索阶段,所以,研究CuSbS2纳米晶材料的制备工艺具有重要的现实意义,有助于其拓宽其应用范围。因此,对于CuSbS2纳米晶材料的制备方法有必要进行深入研究探索。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明目的在于提供一种CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法,该制备方法工艺简单,成本低廉。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案为:CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)按碘化亚铜、氯化锑、油胺的添加比例为1mmol:1mmol:10mL,将碘化亚铜和氯化锑加入到油胺中,通入氩气保护气体,控制温度并搅拌使碘化亚铜和氯化锑完全溶解,得到金属盐的络合溶液;
2)按碘化亚铜、氯化锑、二苯基硫脲的二苯醚溶液的添加比例为1mmol:1mmol:2~6mL,在上述金属盐的络合溶液中加入浓度为1mol/L的二苯基硫脲的二苯醚溶液,加热至设定温度后进行反应;
3)反应结束后,冷却至室温,加入甲醇对反应得到的CuSbS2纳米晶进行清洗,得到CuSbS2纳米晶材料。
上述方案中,步骤1)控制温度为:60-100℃,搅拌时间为5-20分钟。
上述方案中,步骤2)所述设定温度为60-180℃,搅拌时间为1-120分钟。
本发明的有益效果如下:本发明选取二苯基硫脲为硫源,采用热注入法制备CuSbS2纳米晶材料,通过控制前驱体加入的比例(碘化亚铜、氯化锑、二苯基硫脲的添加比例为1mmol:1mmol:2~6mmol),得到CuSbS2纳米晶材料;通过控制反应温度及反应时间得到不同尺寸的CuSbS2纳米晶。该制备方法工艺简单,重现性好,成本低廉,符合环境要求。
附图说明
图1为本发明制备得到的CuSbS2纳米晶材料的物相表征图,其中a为XRD图谱,b为EDS图谱。
图2为实施例1制备得到的CuSbS2纳米晶材料的TEM图像,其中a为TEM图像,b为图a中纳米晶的尺寸分布图。
图3为实施例2制备得到的CuSbS2纳米晶材料的TEM图像,其中a为TEM图像,b为图a中纳米晶的尺寸分布图。
图4为实施例3制备得到的CuSbS2纳米晶材料的TEM图像,其中a为TEM图像,b为图a中纳米晶的尺寸分布图。
图5为本实施例1~3制备得到的CuSbS2纳米晶材料的紫外-可见光吸收光谱。
图6为本实施例1~3制备得到的CuSbS2纳米晶材料的光学带隙图。
具体实施方式
为了更好地理解本发明,下面结合实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1
CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法,包括如下步骤:
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