[发明专利]与数据线导通的薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种与数据线导通的薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管为低温多晶硅顶栅薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管与IPS液晶显示模式结合使用，所述方法包括如下步骤：

步骤(1)、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；

步骤(2)、在所述缓冲层上制备多晶硅层；

步骤(3)、对所述多晶硅层进行沟道掺杂，形成沟道掺杂的多晶硅层；

步骤(4)、对所述多晶硅层进行图案化处理，形成多晶硅层段；

步骤(5)、在所述缓冲层、多晶硅层段上沉积栅极绝缘层；

步骤(6)、在所述栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层，形成对应多晶硅层段上方的栅极；

步骤(7)、对所述多晶硅层段进行掺杂，以得到两P型或N型重掺杂区域及设置在两P型或N型重掺杂区域之间的一P型或N型轻掺杂区域，对应形成源区、漏区及沟道区；

步骤(8)、在所述栅极绝缘层及所述栅极上形成层间绝缘层，并在所述栅极绝缘层与层间绝缘层上对应所述多晶硅层段的P型或N型重掺杂区域上方分别形成第一接触孔；

步骤(9)、在所述层间绝缘层上沉积并图案化第二金属层，形成源极及漏极，所述源极及漏极分别经由所述第一接触孔与所述多晶硅层段的源区及漏区相接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，制备多晶硅层的方法包括如下步骤：

步骤(21)、在所述缓冲层上沉积非晶硅层；

步骤(22)、在所述非晶硅层上沉积氧化硅层；

步骤(23)、以所述氧化硅层作为光罩，对非晶硅层进行准分子激光退火处理，使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层，并去除所述氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤(9)之后，还包括如下步骤：

步骤(10)：在所述层间绝缘层及所述源极和漏极上形成钝化层，并在所述钝化层上对应所述漏极区域上方形成第二接触孔，以将所述漏极从所述第二接触孔裸露出来；

步骤(11)、在所述钝化层上沉积并图案化第三金属层，形成像素电极，所述像素电极经由所述第二接触孔与所述漏极相接触。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化硅、氧化硅或二者的组合。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述层间绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。

7.一种与数据线导通的顶栅低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、设置于所述基板上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的多晶硅层段、设置于所述多晶硅层段上的源极及漏极、设置于所述缓冲层与多晶硅层段上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上且位于多晶硅层段上方的栅极及设置于所述栅极绝缘层与所述栅极上的层间绝缘层，所述多晶硅层段包括两P型或N型重掺杂区域及设置在两P型或N型重掺杂区域之间的一P型或N型轻掺杂区域，所述源极与漏极分别经由第一接触孔与所述P型或N型重掺杂区域相接触。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述层间绝缘层及所述源极和漏极上的钝化层及设置与所述钝化层上的像素电极，所述像素电极经由所述第二接触孔与所述漏极相接触。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化硅、氧化硅或二者的组合。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述层间绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。