[发明专利]GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法

权利要求书

1.一种GaNHEMT器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于， 包括：

在Si衬底上由下而上依次形成GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势 垒层，其中，所述GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成有二维电子气；

在所述AlGaN势垒层表面沉积SiO₂介质，并在所述SiO₂介质上覆盖 掩膜层，采用光刻工艺在所述掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触 区域，其中，所述欧姆接触区域位于所述非欧姆接触区域两侧；

对露出在所述欧姆接触区域内的SiO₂介质进行刻蚀，以形成嵌入所 述GaN沟道层内部的沟槽；

在所述沟槽中生长n+GaN掺杂层；

去除所述掩膜层和所述SiO₂介质；

在所述欧姆接触区域和所述非欧姆接触区域上沉积与GaN材料的功 函数对应的欧姆接触金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述n+GaN掺 杂层的掺杂浓度为1×10¹⁹-5×10¹⁹。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述欧姆接触 金属层为单层或多层结构。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述 掩膜层和所述SiO₂介质中，所述掩膜层和所述SiO₂介质采用缓冲氧化蚀 刻剂BOE溶液进行腐蚀。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SiO₂介质 采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD工艺沉积得到。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SiO₂介质 采用电感耦合等离子体ICP工艺进行刻蚀。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述n+GaN掺 杂层采用金属有机化合物沉积MOCVD工艺生长。