[发明专利]一种晶圆级封装的LED器件结构有效
| 申请号： | 201510893695.5 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN106848032B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;袁根如 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 led 器件 结构 | ||
1.一种晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于，所述LED器件结构至少包括：
荧光粉基板，所述荧光粉基板包括透明基板和形成于所述透明基板表面的荧光粉胶体；
倒装结构发光二极管，形成于所述荧光粉基板上的所述荧光粉胶体一侧；
第一反射镜，覆盖于所述荧光粉胶体和倒装结构发光二极管的侧壁表面。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述荧光粉基板还包括在所述荧光粉胶体表面形成的隔离基板，所述隔离基板位于所述荧光粉胶体与所述倒装结构发光二极管之间，所述第一反射镜覆盖于所述荧光粉胶体、所述隔离基板及所述倒装结构发光二极管的侧壁表面。
3.根据权利要求2所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述透明基板的厚度范围为10～100μm，所述隔离基板的厚度范围为10～30μm。
4.根据权利要求2所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述透明基板和隔离基板的透光率在92％以上。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述倒装结构发光二极管通过键合层键合于所述荧光粉基板上。
6.根据权利要求2所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述荧光粉胶体、隔离基板以及倒装结构发光二极管整体呈梯形，所述第一反射镜为斜面结构。
7.根据权利要求1或2所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述倒装结构发光二极管为薄膜倒装结构发光二极管，所述薄膜倒装结构发光二极管包括：
N型半导体生长层，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面具有粗化结构；
量子阱层，生长于所述N型半导体生长层的第二表面上；
P型半导体生长层，形成于所述量子阱层上；
第二反射镜层，形成于所述P型半导体生长层上；
P电极，结合于所述第二反射镜上；
N电极，形成于所述第二反射镜上，并穿过所述第二反射镜、P型半导体生长层以及量子阱层与所述N型半导体生长层电连；
绝缘层，隔离于所述N电极与所述第二反射镜、P型半导体生长层以及量子阱层之间。
8.根据权利要求7所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述N型半导体生长层的第一表面键合于所述荧光粉基板上。
9.根据权利要求1所述的晶圆级封装的LED器件结构，其特征在于：所述第一反射镜为DBR、Ag反射镜或者Al反射镜。
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