[发明专利]光学成像系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种光学成像系统，且特别是有关于一种应用于电子产品 上的小型光学成像系统。

背景技术

近年来，随着具有摄影功能的可携式电子产品的兴起，光学系统的需 求日渐增加。一般光学系统的感光元件不外乎为感光耦合元件(Charge CoupledDevice；CCD)或互补性氧化金属半导体元件(Complementary Metal-OxideSemiconduTPorSensor；CMOSSensor)两种，且随着半导体制 造技术的进步，使得感光元件的像素尺寸缩小，光学系统逐渐往高像素方 向发展，因此对成像质量的要求也日益增加。

传统搭载于便携设备上的光学系统，多采用二片或三片式透镜结构， 然而，由于便携设备不断朝像素提升方向发展，并且终端消费者对大光圈 的需求不断增加，例如微光与夜拍功能，以及消费者对广视角的需求也逐 渐增加，例如前置镜头的自拍功能。但是，设计大光圈的光学系统常面临 产生更多像差致使周边成像质量随之劣化以及制造困难，而设计广视角的 光学系统则面临成像的畸变率(distortion)提高，现有的光学成像系统已无 法满足更高阶的摄影要求。

因此，如何有效增加光学成像镜头的进光量与增加光学成像镜头的视 角，除了进一步提高成像的总像素与质量外，同时能兼顾微型化光学成像 镜头的衡平设计，便成为一个相当重要的议题。

发明内容

本发明针对一种光学成像系统及光学影像撷取镜头，能够利用四个透 镜的屈光力、凸面与凹面的组合(本发明所述凸面或凹面原则上指各透镜 的物侧面或像侧面于光轴上的几何形状描述)，进而有效提高光学成像系统 的进光量与增加光学成像镜头的视角，同时提高成像的总像素与质量，以 应用于小型的电子产品上。

本发明实施例相关的透镜参数的用语与其代号详列如下，作为后续描 述的参考：

与长度或高度有关的透镜参数：

光学成像系统的成像高度以HOI表示；光学成像系统的高度以HOS 表示；光学成像系统中的第一透镜物侧面至第四透镜像侧面之间的距离以 InTL表示；光学成像系统中的第四透镜像侧面至成像面之间的距离以InB 表示；InTL+InB＝HOS；光学成像系统中的固定光栏(光圈)至成像面之 间的距离以InS表示；光学成像系统中的第一透镜与第二透镜间的距离以 IN12表示(例示)；光学成像系统中的第一透镜于光轴上的厚度以TP1表示 (例示)。

与材料有关的透镜参数：

光学成像系统中的第一透镜的色散系数以NA1表示(例示)；第一透镜 的折射律以Nd1表示(例示)。

与视角有关的透镜参数：

视角以AF表示；视角的一半以HAF表示；主光线角度以MRA表示。

与出入瞳有关的透镜参数：

光学成像系统的入射瞳直径以HEP表示。

与透镜面形深度有关的参数：

第四透镜物侧面于光轴上的交点至第四透镜物侧面的最大有效径位置 于光轴的水平位移距离以InRS41表示(例示)；第四透镜像侧面于光轴上的 交点至第四透镜像侧面的最大有效径位置于光轴的水平位移距离以 InRS42表示(例示)。

与透镜面型有关的参数：

临界点C指特定透镜表面上，除与光轴的交点外，一与光轴相垂直的 切面相切的点。承上，例如第三透镜物侧面的临界点C31与光轴的垂直距 离为HVT31(例示)，第三透镜像侧面的临界点C32与光轴的垂直距离为 HVT32(例示)，第四透镜物侧面的临界点C41与光轴的垂直距离为 HVT41(例示)，第四透镜像侧面的临界点C42与光轴的垂直距离为 HVT42(例示)。第四透镜物侧面上最接近光轴的反曲点为IF411，该点沉陷 量SGI411，该点与光轴间的垂直距离为HIF411(例示)。第四透镜像侧面上 最接近光轴的反曲点为IF421，该点沉陷量SGI421(例示)，该点与光轴间 的垂直距离为HIF421(例示)。第四透镜物侧面上第二接近光轴的反曲点为 IF412，该点沉陷量SGI412(例示)，该点与光轴间的垂直距离为HIF412(例 示)。第四透镜像侧面上第二接近光轴的反曲点为IF422，该点沉陷量 SGI422(例示)，该点与光轴间的垂直距离为HIF422(例示)。

与像差有关的变数：