[发明专利]一种钻石烯种植体及制作方法

权利要求书

1.一种钻石烯种植体，其特征在于：包括基体，基体上设有超细钻石烯层，超细钻石烯层由层片状单晶结构的纳米钻石烯组成；超细钻石烯层的厚度小于3微米。

2.如权利要求1所述的钻石烯种植体，其特征在于：所述层片状单晶结构的纳米钻石烯同一片层的碳原子之间为sp3轨道杂化碳键连接，层与层之间的碳原子之间为sp2杂化碳键连接；纳米钻石烯的晶格间距为0.21nm；纳米钻石烯的平均粒径为R，20≤R≤500nm；纳米钻石烯的C含量为99～100%。

3.权利要求1或2所述的钻石烯种植体的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1）采用超声波法对基体进行表面净化处理；2）采用复合电镀法或超声波电镀法，以纳米钻石烯为原料，形成带有超细钻石烯层的钻石烯种植体。

4.如权利要求3所述的钻石烯种植体的制作方法，其特征在于：所述步骤1）中超声波法的工艺参数为：使用频率为40kHz-50kHz，环境温度为45℃-60℃，处理时间为1min-2min。

5.如权利要求4所述的钻石烯种植体的制作方法，其特征在于：所述步骤2）中复合电镀采用恒温方式；搅拌速度为100r/min-1400r/min；电镀时间为40min-60min；电镀温度为50℃-60℃。