[发明专利]抗干扰抗腐蚀半导体集成电路的集成方法

权利要求书

1.抗干扰抗腐蚀半导体集成电路的集成方法，其特征是将陶瓷与金属复合，用作管基和管帽材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽和抗腐蚀要求，具体集成方法是：采用低温共烧陶瓷工艺及厚膜印刷与烧结工艺制作管基底座，形成半导体集成电路芯片键合区、表面金属层、对外引脚等结构；在预先烧结成型的陶瓷管帽的内表面，采用涂覆金属浆料烧结方式或化学电镀方式或真空镀膜的方式形成所需管帽金属层；再进行半导体集成电路芯片的装贴、引线键合和封帽；使封装内外电磁环境实现良好的隔离，以满足从低频到高频的电磁全频段的屏蔽和抗腐蚀的要求。

2.如权利要求1所述的方法，详细的集成工艺是：

陶瓷管帽、陶瓷生瓷片、镀层材料的准备；

在陶瓷管帽的内表面化学镀铬；

在陶瓷管帽的内表面电镀金；

电镀后陶瓷管帽的清洗与烘干；

采用现有技术中的低温共烧陶瓷工艺及厚膜印刷与烧结工艺制作管基底座，形成半导体集成电路芯片键合区、外表面金属层、对外引脚等结构，金属层材料为金浆料烧结而成；

在陶瓷管基底座上组装半导体集成电路芯片；

用硅-铝丝或金丝键合以完成半导体集成电路芯片的电路连接（倒装焊时不需要）；

封帽，粘结材料（12）为低熔点金属爆料再流化而成；

性能测试；

老化筛选测试、密封性检查；

产品编号打印、包装入库。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述半导体集成电路芯片的装贴为引线键合贴装。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述半导体集成电路芯片的装贴为倒装键合贴装。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述管帽金属层涂覆的金属是铬和金；所述管基金属层的金属是金。