[发明专利]太阳电池的制备方法在审
| 申请号: | 201510880678.8 | 申请日: | 2015-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN105489664A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
| 发明(设计)人: | 铁剑锐;杜永超;许军;肖志斌;王鑫;梁存宝;孙希鹏 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕 |
| 地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳电池的制备方法,其特征在于:所述太阳电池包括有上电 极、外延片和下电极,所述上电极和下电极分别紧密贴合设置在所述外延片 的上、下端面上,其制备方法包括如下步骤:
S1:光刻上电极
在所述外延片的入光面涂光刻胶,涂完胶后将电池烘烤,后采用光刻机 对外延片涂胶面进行曝光、显影、冲洗和干燥;
S2:蒸镀上电极
将所述外延片光刻面朝向蒸发源装入镀膜机中,进行真空蒸镀,然后将 蒸镀好上电极的外延片进行去胶;
S3:蒸镀下电极
将蒸镀完上电极的外延片放入镀膜机内,背面朝向蒸发源,进行真空蒸 镀,之后在刚才的蒸镀面进行加厚蒸镀步骤,得到:加厚金属Ag2,厚度为: 3.0μm-5μm。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:在步骤S3 之后还包括:
步骤S4:划片、蒸镀减反射膜
将蒸镀完下电极的外延片放入自动划片机中,上电极面朝上,将外延片 划成各规格的电池,然后腐蚀CAP层,在电池入光面蒸镀TiOx/Al2O3膜系。
3.根据权利要求1或2所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:所述 S1步骤中,烘烤的过程为:在烘箱中烘烤,烘烤温度范围为80℃~90℃,烘 烤时间为10min±3min;
曝光时间为8s~10s;
显影60s~90s,待显影完全后用清洗机冲洗6~8次,最后甩干机甩干或 氮气吹干。
4.根据权利要求1或2所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:在所 述S2步骤中,将蒸镀好上电极的外延片进行去胶具体过程为:将外延片放 入丙酮中浸泡不少于20min,取出后采用自动去胶机去胶,采用自动清洗机 冲洗6~8次,再用甩干机甩干,完成去掉光刻胶的过程;在所述S2步骤中, 进行真空蒸镀依次得到:Au,50nm±7.5nm;Ge,100nm±15nm;Ag,5μ m±750nm;Au,50nm±7.5nm。
5.根据权利要求1或2所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:
所述S3步骤中,进行真空蒸镀依次得到:Au,50nm±7.5nm;Ge,100nm ±15nm;Ag1,1μm±0.15μm;所述加厚金属的厚度为3.4μm-4.6μm。
6.根据权利要求1或2所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:所述 S3步骤中,所述加厚蒸镀步骤具体为:包括有掩模版,将所述外延片连同掩 模版一同放入镀膜机中,掩模版面朝向蒸发源;所述掩模版为类圆形,圆形 区域中设置有通槽,金属Ag2沉积在所述通槽处。
7.根据权利要求1或2所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:所述 加厚金属Ag2的位置与焊点位置相重叠,且加厚Ag2区域的面积大于等于焊 点面积。
8.根据权利要求1或2所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:
步骤S3后得到下电极整体形状呈一个类圆状,其中类圆状的最上端设 置有一定位直边,以经过类圆状的圆心并且垂直于定位直角边的直线为Y轴, 以经过类圆状的圆心并且垂直Y轴的直线为X轴,以类圆状的圆心为零点; 所述若干块状加厚金属沿X轴或Y轴对称设置。
9.根据权利要求8所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:
所述块状加厚金属中穿过X轴方向设置的金属块宽度与远离X轴方向 设置的金属块的宽度的比值为(1.5-3):1。
10.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法,其特征在于:所述块 状加厚金属中穿过X轴方向设置的金属块宽度为12mm,远离X轴方向设置 的金属块的宽度的为4.6mm或6.6mm。
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