[发明专利]真空镀膜工艺在审
| 申请号: | 201510878685.4 | 申请日: | 2015-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN105463374A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
| 发明(设计)人: | 翟文喜 | 申请(专利权)人: | 东莞市金世尊电子科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/10 | 分类号: | C23C14/10;C23C14/06;C23C14/30;C23C14/24;C23C14/34 |
| 代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 皮发泉 |
| 地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空镀膜 工艺 | ||
1.一种真空镀膜工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、产品的清洗:辅助清洗结构上的清洗机械手抓取待清洗产品,并按照输送带路线将带清洗产品传送到清洗室中进行产品的表层清洗;
S2、采用电子束蒸镀、溅射镀或热气流蒸镀的方式在清洗后的产品表面形成SiO2膜层;
S3、采用电子束蒸镀、溅射镀或热气流蒸镀的方式在镀有SiO2膜层的产品表面形成防污膜层;
S4、成品的包装:判断S3中生产出的成品是否为合格产品,合格产品进行包装,不合格产品进入回收站;
其中步骤S2中,
电子束蒸镀SiO2膜层的具体步骤为:将S1中清洗后的产品传送到第一电子束蒸镀室中,从电子枪中喷射出的SiO2喷涂物料以蒸发气体的形式粘合在产品表面;
溅射镀SiO2膜层的具体步骤为:将S1中清洗后的产品传送到第一溅射镀室中,SiO2喷涂物料以液体形态喷射在产品表面,以产生膜层;
热气流蒸镀SiO2膜层的具体步骤为:将S1中清洗后的产品传送到第一热气流蒸镀室中,蒸发源腔将SiO2喷涂物料蒸发成气体扩散到第一热气流蒸镀室内,气体自然吸附在产品表面形成膜层;
其中步骤S3中,
电子束蒸镀防污膜层:将S2中镀膜后的产品传送到第二电子束蒸镀室中,从电子枪中喷射出的防污药品以蒸发气体的形式粘合在产品表面;
溅射镀防污膜层:将S2中镀膜后的产品传送到第二溅射镀室中,防污药品以液体形态喷射在产品表面,以产生膜层;
热气流蒸镀防污膜层:将S2中镀膜后的产品传送到第二热气流蒸镀室中,蒸发源腔将防污药品蒸发成气体扩散到第二热气流蒸镀室内,气体自然吸附在产品表面形成膜层。
2.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺,其特征在于,S4具体为油水清除检测过程,该过程具体为:S3中生产出的成品进入到油水清除检测室中,油水清除检测机器对成品的清除效果进行检测,并得到清除率检测数据。
3.根据权利要求2所述的真空镀膜工艺,其特征在于,该工艺还包括S5摩擦系数检测过程,该过程在S4的步骤之后,成品从油水清除检测室中出来后进入到摩擦系数检测室中,摩擦系数检测机器对成品的摩擦强度进行检测,并得到摩擦系数的检测数据。
4.根据权利要求3所述的真空镀膜工艺,其特征在于,该工艺还包括S6抗阻特性检测过程,该过程在S5之后,成品从摩擦系数检测室中出来后进入到抗阻特性检测室中,抗阻特性检测机器对成品的抗阻特性进行检测,并得到抗阻特性的检测数据。
5.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺,其特征在于,在S2的SiO2膜层镀膜过程中,SiO2膜层的厚度为20~30μm。
6.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺,其特征在于,在S3的防污膜层镀膜过程中,SiO2膜层的厚度为10~20μm。
7.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺,其特征在于,在电子束蒸镀镀膜过程中,第一电子束蒸镀室和第二电子束蒸镀室的温度为23±5℃,室内湿度为50±10%。
8.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺,其特征在于,在溅射镀镀膜过程中,第一溅射镀蒸镀室和第二溅射镀蒸镀室的温度为30±5℃,室内湿度为30±10%。
9.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺,其特征在于,在热气流蒸镀的镀膜过程中,第一热气流蒸镀室和第二热气流蒸镀室的温度为95±5℃,室内湿度为60±10%。
10.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺,其特征在于,在S5-S7中使用到的防污药品包括防粘连剂10~15%、增硬耐磨剂12~15%、流平剂20~40%以及剩余的其他助剂。
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