[发明专利]一种莲藕的大棚种植方法在审

专利信息
申请号: 201510877727.2 申请日: 2015-12-04
公开(公告)号: CN105409552A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 王学连 申请(专利权)人: 太和县华盛种植专业合作社
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 深圳市龙成联合专利代理有限公司 44344 代理人: 陈丽燕
地址: 236631 安徽省阜阳*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 莲藕 大棚 种植 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于莲藕种植技术领域,具体涉及一种莲藕的大棚种植方法。

背景技术

莲藕又名藕、荷,原产印度,中国湖南、湖北、浙江、江苏、福建和广东普遍栽培。莲藕营养丰富,生食或熟食均宜,用途广泛;莲子是上等滋补品;莲梗、莲蓬和藕节均可作药用;是水生蔬菜植物中经济价值最高的品种。

利用大棚进行莲藕种植已属常见,但是现有莲藕种植工序多,复杂,劳动强度大。因此,亟待开发一种新的莲藕大棚种植方法,实现莲藕种植的轻简化,并进一步提高莲藕产量,提高莲藕种植效益。

发明内容

本发明提供了一种。为了实现上述目的,本发明采用了以下技术方案:

一种莲藕的大棚种植方法,它包括以下步骤:(1)选种:从无病藕田选择2-3节的莲藕做种。(2)建设沟渠:在大棚内开挖若干条沟渠,所述沟渠底部及四壁水泥硬化。或内铺双层塑料薄膜,沟渠长度不限,宽度为4-6m、沟渠呈阶梯状,每级台阶高度50-60cm,长度为100-120m。(3)灌入基质:向沟渠内灌入泥炭、沼渣和珍珠岩的混合基质,所述混合基质中的泥炭、沼渣、珍珠岩按照3:5:4的重量比例组成,再加入混合基质总重量的5%的草木灰混合,每级台阶的混合基质厚度为35-40cm。(3)植藕:将莲藕插入沟渠的泥浆混合基质内,深度5-8cm,株距1.5m,灌入清水,清水深度为2-4cm。(4)控制环境因素:控制大棚内的温度在20-30℃,空气相对湿度为20%-40%。

本发明的有益效果:通过一次性的制作含有各种莲藕所需微量元素和矿物质的泥炭、沼渣和珍珠岩的混合基质来取代传统的藕田消毒、施基肥和追肥,简化了操作步骤,合理密植,提高了莲藕种植效益。

具体实施方式

实施例1:

一种莲藕的大棚种植方法,它包括以下步骤:(1)选种:从无病藕田选择2-3节的的莲藕做种。(2)建设沟渠:在大棚内开挖若干条沟渠,所述沟渠底部及四壁水泥硬化或内铺双层塑料薄膜,沟渠长度不限,宽度为5m、沟渠呈阶梯状,每级台阶高度55cm,长度为110m。(3)灌入基质:向沟渠内灌入泥炭、沼渣和珍珠岩的混合基质,每级台阶的混合基质厚度为38cm;(3)植藕:将莲藕插入沟渠的泥浆混合基质内,深度6cm,株距1.5m,灌入清水,清水深度为3cm;(4)控制环境因素:控制大棚内的温度在20-30℃,空气相对湿度为20%-40%。

以上所述混合基质中添加草木灰混合。

以上所述混合基质中的泥炭、沼渣、珍珠岩按照3:5:4的重量比例组成,再加入混合基质总重量的5%的草木灰。

实施例2:

一种莲藕的大棚种植方法,它包括以下步骤:(1)选种:从无病藕田选择2-3节的莲藕做种;(2)建设沟渠:在大棚内开挖若干条沟渠,所述沟渠底部及四壁水泥硬化或内铺双层塑料薄膜,沟渠长度不限,宽度为4-6m、沟渠呈阶梯状,每级台阶高度50cm,长度为100m;(3)灌入基质:向沟渠内灌入泥炭、沼渣和珍珠岩的混合基质,每级台阶的混合基质厚度为35cm;(3)植藕:将莲藕插入沟渠的泥浆混合基质内,深度5cm,株距1.5m,灌入清水,清水深度为2cm;(4)控制环境因素:控制大棚内的温度在20-30℃,空气相对湿度为20%-40%。

以上所述混合基质中添加草木灰混合。

以上所述混合基质中的泥炭、沼渣、珍珠岩按照3:5:4的重量比例组成,再加入混合基质总重量的5%的草木灰。

实施例2:

一种莲藕的大棚种植方法,它包括以下步骤:(1)选种:从无病藕田选择2-3节的莲藕做种;(2)建设沟渠:在大棚内开挖若干条沟渠,所述沟渠底部及四壁水泥硬化或内铺双层塑料薄膜,沟渠长度不限,宽度为6m、沟渠呈阶梯状,每级台阶高度60cm,长度为120m;(3)灌入基质:向沟渠内灌入泥炭、沼渣和珍珠岩的混合基质,每级台阶的混合基质厚度为40cm;(3)植藕:将莲藕插入沟渠的泥浆混合基质内,深度8cm,株距1.5m,灌入清水,清水深度为4cm;(4)控制环境因素:控制大棚内的温度在20-30℃,空气相对湿度为20%-40%。

以上所述混合基质中添加草木灰混合。

以上所述混合基质中的泥炭、沼渣、珍珠岩按照3:5:4的重量比例组成,再加入混合基质总重量的5%的草木灰。

以上所述的实施例,只是本发明的较优选的三种具体方式,本领域的技术员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围。

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