[发明专利]一种声表面波滤波器芯片剥离工艺后图形优化方法

权利要求书

1.一种声表面波滤波器芯片剥离工艺后图形优化方法，其特征在于具体步骤为：

第一步晶圆表面均匀分布腐蚀液

声表面波滤波器芯片剥离工艺完成并形成芯片图形后，将晶圆固定在旋转夹具上，使 腐蚀液柱滴注于旋转的晶圆中心，利用旋转离心力使腐蚀液均匀分布在晶圆表面上；

第二步腐蚀液对剥离后的晶圆图形进行腐蚀

腐蚀液采用当量浓度为2.38％的四甲基氢氧化铵，腐蚀液与铝质的芯片图形发生反 应：2Al+2OH-+2H2O→2AlO2-+3H2↑；这种各项同性的湿法腐蚀方式将剥离后图形及线条边 缘的毛刺、凸起和残留铝屑一并腐蚀去除；同时腐蚀液对铝质声表面波滤波器芯片上的叉 指换能器在侧向上产生腐蚀作用，在纵向上使芯片铝膜厚度减薄，同时在横向上使叉指换 能器变细，得到突破光刻机标称分辨率的精细叉指换能器图形；

第三步保持腐蚀液恒温

腐蚀液与芯片金属图形发生反应，二者的反应速度与腐蚀液温度成正比，腐蚀液温度 越高，腐蚀液与芯片金属图形的反应速度越快；腐蚀液温度恒定在23℃±1℃，采用程控水 浴槽加热输液管的方式，保证腐蚀速度缓慢可控；

第四步设定旋转夹具转速

设定夹具转速为1500转/分钟±50转/分钟，利用夹具旋转时产生的离心力，使得腐蚀 液或去离子水对芯片表面起到冲刷作用，同时保证腐蚀过程缓慢可控；将剥离工艺超声震 荡后产生的铝屑及腐蚀后产生的生成物从芯片表面冲刷出去，达到芯片图形优化的效果；

第五步根据腐蚀速度及图形优化效果设定腐蚀时间

设定腐蚀时间范围为60s-90s，在腐蚀液接触芯片的同时开始计时，腐蚀液对芯片进行 清洗，计满腐蚀时间时，关闭腐蚀液并打开去离子水对芯片进行清洗；

第六步腐蚀结束后进行清洗及甩干

腐蚀过程结束后，移开腐蚀液输液管，保持晶圆以1500转/分钟±50转/分钟转速旋转， 用去离子水滴注于晶圆中心，利用旋转离心力将去离子水均匀分布于晶圆表面，将晶圆表 面残留的腐蚀液清洗干净，设定清洗时间为30s；清洗结束后设定甩干转速为3000转/分钟 ±50转/分钟，利用旋转离心力将晶圆表面的去离子水甩干，甩干时间设定为30s；甩干后夹 具停止旋转，取下晶圆，完成声表面波滤波器芯片剥离工艺后的图形优化。