[发明专利]一种氧化铟锡粉末的制备方法有效
申请号: | 201510876519.0 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN105523579B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 王玉军;王景绰;骆广生;王雪涛 | 申请(专利权)人: | 清华大学;河北惟新科技有限公司 |
主分类号: | C01G19/00 | 分类号: | C01G19/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人: | 王加贵 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 粉末 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制备氧化铟锡粉末的方法,特别涉及一种基于微反应器制备氧化铟锡粉末的方法。
背景技术
氧化铟锡(ITO)是一种n型半导体材料,具备优良的光电性能。以ITO材料溅射得到的薄膜具备很低的电阻率(约10-4Ω‧cm),同时对于可见光具备良好的透过性能。因此,ITO薄膜被广泛应用于液晶显示屏、有机发光二极管、触摸屏、太阳能电池等领域中。目前,全球铟资源的消耗量中ITO产业占据了85%。随着当前平板显示行业的发展,对于ITO薄膜的要求也向着大型化、高致密度、高纯度发展。ITO薄膜的性质从根本上决定于ITO粉末的性质,因此为了满足产业发展要求,ITO粉末制备过程需要进一步的优化。
常见的氧化铟锡制备方法包括化学共沉淀法,溶胶-凝胶法,水热法,喷雾热解法等。其中,化学共沉淀法被认为是最简单、经济的方法,在实验研究和工业生产中有着广泛的应用。但是传统的化学共沉淀的方法存在微观混合差,在体系内反应不均匀,易出现杂相,局部过饱和度低,制备过程不易控制等问题。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种反应均匀、制备粒径可控的氧化铟锡粉末的制备方法。
一种氧化铟锡粉末的制备方法,其包括以下步骤:提供一微孔膜,所述微孔膜具有一上表面和一与所述上表面相对的下表面,所述微孔膜包括多个微孔,多个所述微孔贯穿于该微孔膜的上下两表面;通入一铟锡水溶液,使得所述铟锡水溶液从所述微孔膜的上表面经所述微孔流入至微孔膜的下表面;通入一氨水溶液,使得所述氨水溶液沿所述微孔膜的下表面方向流动,所述氨水溶液与流至所述微孔膜下表面的铟锡水溶液混合并反应,形成一混合物;将混合物通入一水浴容器中老化,老化后过滤混合物得到固体沉淀,再将固体沉淀进行洗涤、干燥;以及将干燥后的固体进行焙烧,得到氧化铟锡粉末。
相对于现有技术,本发明提供的氧化铟锡的制备方法,通过采用微孔膜,并结合流体错流剪切的微孔分散,使得铟锡水溶液被微孔膜均匀分散,在毫秒级时间内与氨水溶液实现充分、均匀混合,从而形成均匀沉淀,制备得到的氧化铟锡颗粒也更加均匀。
附图说明
图1为本发明提供的氧化铟锡粉末的制备流程图。
图2为本发明提供的铟锡水溶液和氨水溶液的反应过程示意图。
图3为本发明提供的实施例1制备的氧化铟锡粉末的透射电镜图。
图4本发明提供的实施例3制备的氧化铟锡粉末的透射电镜图。
主要元件符号说明
如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合具体实施例,对本发明提供的氧化铟锡粉末的制备方法作进一步详细说明。
请参阅图1,本发明提供一种氧化铟锡粉末的制备方法,该制备方法具体包括以下步骤:
S1,提供一微孔膜100,所述微孔膜100具有一上表面和一与所述上表面相对的下表面,所述微孔膜100包括多个微孔,所述多个微孔贯穿于该微孔膜100的上下两表面;
S2,通入一铟锡水溶液200,使得所述铟锡水溶液200从所述微孔膜100的上表面经所述微孔流入至微孔膜100的下表面;
S3,通入一氨水溶液300,使得所述氨水溶液300沿所述微孔膜100的下表面方向流动,所述氨水溶液300与流至所述微孔膜100下表面的铟锡水溶液200混合并反应,形成一混合物;
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