[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510876050.0 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105552112B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，其具体步骤如下：
一、在硅衬底上干氧生长的栅氧，形成栅氧化层(6)，所述硅衬底为N-型基区(1)；
二、在炉管内生长一层多晶层后，利用光刻腐蚀在器件内部，刻出栅极形状，形成多晶栅(7)；
三、注入B化学元素并进行热扩散，形成P型基区(2)；
四、通过光刻出N+发射区(5)注入的窗口然后进行As化学元素注入退火，使得N+发射区(5)形成结深，形成N+发射区(5)；
五、在N-型基区(1)上正面旋转涂覆铂液态源Pt920，并扩散形成寿命控制线(4)；
六、在硅衬底上淀积AL层，然后用光刻和腐蚀的工艺腐蚀出AL的连线，形成发射极(9)和栅电极(10)；
七、将硅衬底背面减薄后，外延一层N+缓冲层，再外延上一层P+层形成背P+发射区(3)；
八、背面再进行金属化处理形成集电极(8)。
2.根据权利要求1所述一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述AL层的厚度为4um。
3.根据权利要求1所述一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅氧的长度为100nm。
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