[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述方法包括，

在N型硅片的两面清洗制绒，形成金字塔绒面；

在制绒后的N型硅片的其中一面沉积第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层，另一面上沉积第二本征非晶硅膜层和P型非晶硅薄膜层；

在N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层上沉积透明导电薄膜层；

在N型硅片两面的透明导电薄膜层上沉积金属薄膜层；

在N型硅片两面贴上干膜；

用激光扫描法将干膜曝光形成栅线图案；

对N型硅片的两面进行显影；

在N型硅片两面显影后的栅线图案上电镀金属栅线；

去除金属栅线区域外的干膜；

腐蚀金属栅线区域外的金属薄膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤在制绒后的N型硅片的其中一面沉积第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层，另一面上沉积第二本征非晶硅膜层和P型非晶硅薄膜层为先沉积N型硅片两面的第一本征非晶硅薄膜层和第二本征非晶硅薄膜层，再沉积N型非晶硅薄膜层、P型非晶硅薄膜层，或者先沉积N型硅片两面的第一本征非晶硅薄膜层和第二本征非晶硅薄膜层，再沉积P型非晶硅薄膜层、N型非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤在制绒后的N型硅片的其中一面沉积第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层，另一面上沉积第二本征非晶硅膜层和P型非晶硅薄膜层为先沉积N型 硅片一面的第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层，再沉积另一面的第二本征非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层，或者先沉积N型硅片一面的第二本征非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层，再沉积另一面的第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述透明导电薄膜层为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺硼氧化锌、掺钨氧化铟、石墨烯薄膜中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属薄膜层为Ag、Cu、Ni、Ti、TiN、Sn或NiCr中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述干膜为正性干膜或负性干膜，所述干膜的厚度为15～40um。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述栅线图案为多主栅图案或横纵交叉无主栅网格状图案。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属栅线的细栅线宽度为5～20um，厚度为10-40um。所述金属栅线为Ag、Cu、Ni、Sn或Cr中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述显影采用的溶液为弱碱性蚀刻溶液，所述弱碱性蚀刻溶液为NA₂CO₃或K₂CO₃溶液。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述去除干膜采用的溶液为强碱性蚀刻溶液，所述强碱性蚀刻溶液为NAOH或KOH溶液。