[发明专利]提升瞬态响应性能的降压型电源转换器有效

专利信息
申请号: 201510864333.3 申请日: 2015-11-30
公开(公告)号: CN106817024B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 樊茂;刘程斌 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 提升 瞬态 响应 性能 降压 电源 转换器
【权利要求书】:

1.提升瞬态响应性能的降压型电源转换器,其特征在于,包括,

一设置有储能元件的工作电路,于一脉冲宽度调制信号或一脉冲频率调制信号作用下控制所述工作电路于充电模式和放电模式之间交替切换,用于产生一低于输入电压的输出电压;

一控制电路,与所述工作电路连接,用以可切换地产生所述脉冲宽度调制信号或所述脉冲频率调制信号,所述控制电路包括一误差放大器,所述误差放大器于一第二控制信号的作用下于具有第一增益的第一电路拓扑和具有第二增益的第二电路拓扑之间切换以改变输出的误差放大信号的大小;

所述误差放大器包括,

工作电压端,用于输入所述工作电压;

第一输入端,用于连接一参考电压信号;

第二输入端,用于连接采样自所述输出电压的电压反馈信号;

输出端,用于输出所述误差放大信号;

复数个MOS管组成的差分放大电路,可控制地连接于所述工作电压端、接地端、所述第一输入端、所述第二输入端及所述输出端之间,用于对所述参考电压信号和所述电压反馈信号进行差分放大以输出所述误差放大信号;

所述差分放大电路中预定的MOS管的两端并联一第二MOS管,所述第二MOS管的栅极与预定的所述MOS管的栅极之间连接一开关支路,所述开关支路于所述第二控制信号的作用下导通或断开,以实现所述差分放大电路于所述第一电路拓扑和所述第二电路拓扑之间切换。

2.根据权利要求1所述的提升瞬态响应性能的降压型电源转换器,其特征在于,所述第二控制信号通过所述控制电路产生,所述控制电路于负载电流突然增加时产生所述第二控制信号。

3.根据权利要求1所述的提升瞬态响应性能的降压型电源转换器,其特征在于,所述差分放大电路包括,

第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极连接一第一交汇节点,所述第一PMOS管的漏极连接一第二交汇节点,所述第一PMOS管的栅极连接所述第一输入端;

第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极连接所述第一交汇节点,所述第二PMOS管的漏极连接一第三交汇节点,所述第二PMOS管的栅极连接所述第二输入端;

第三PMOS管,所述第三PMOS管的栅极连接一第一偏置电压,所述第三PMOS管的源极连接所述工作电压端,所述第三PMOS管的漏极连接所述第一交汇节点,于所述第一偏置电压的作用下提供第一偏置电流;

第一NMOS管,连接于所述第二交汇节点和电源地之间,所述第一NMOS管的栅极连接一第二偏置电压;

第二NMOS管,连接于所述第三交汇节点和电源地之间,所述第二NMOS管的栅极连接所述第二偏置电压。

4.根据权利要求3所述的提升瞬态响应性能的降压型电源转换器,其特征在于,所述差分放大电路还包括,

第五NMOS管,所述第五NMOS管的源极连接所述第二交汇节点,所述第五NMOS管的漏极连接一第四交汇节点,所述第五NMOS管的的栅极连接一第三偏置电压;

第六NMOS管,所述第六NMOS管的源极连接所述第三交汇节点,所述第六NMOS管的漏极连接输出端,所述第六NMOS管的栅极连接所述第三偏置电压;

第七NMOS管和第九NMOS管,串联于所述第四交汇节点和所述工作电压端之间,所述第七NMOS管的栅极连接第四偏置电压,所述第七NMOS管的源极连接所述第九NMOS管的漏极,所述第九NMOS管的源极连接所述工作电压端,所述第九NMOS管的栅极连接一第五偏置电压;

第八NMOS管和第十NMOS管,串联于所述输出端和所述工作电压端之间,所述第八NMOS管的栅极连接所述第四偏置电压,所述第八NMOS管的源极连接所述第十NMOS管的漏极,所述第十NMOS管的源极连接所述工作电压端,所述第十NMOS管的栅极连接所述第五偏置电压。

5.根据权利要求3所述的提升瞬态响应性能的降压型电源转换器,其特征在于,所述差分放大电路还包括一第四PMOS管,并联于所述第三PMOS管的源极和漏极之间,所述第四PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极之间连接一第一开关支路,所述第一开关支路于所述第二控制信号的作用下导通时,所述第三PMOS管与所述第四PMOS管同步工作,以改变所述第一偏置电流的大小。

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