[发明专利]金属诱导催化反应液及其制备方法、以及应用

权利要求书

1.一种金属诱导催化反应液，其特征在于，由按照体积份数的如下各组分组成：

所述酸性清洗剂选自氢氟酸和双氧水的混合溶液。

2.根据权利要求1所述的金属诱导催化反应液，其特征在于，由按照体积份数的如下各组分组成：

3.根据权利要求1所述的金属诱导催化反应液，其特征在于，所述氢氟酸和所述双氧水的体积比为3:1～1:10。

4.根据权利要求1所述的金属诱导催化反应液，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自乙醇、乙二醇、聚乙二醇、吐温-60、吐温-80、辛基酚聚氧乙烯醚-10和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的金属诱导催化反应液，其特征在于，所述金属源选自氯金酸、氯铂酸、硝酸银或硝酸铜中的一种。

6.根据权利要求1所述的金属诱导催化反应液，其特征在于，所述去离子水的电导率小于0.5μS/cm。

7.一种金属诱导催化反应液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将金属源加入去离子水中，混匀之后得到金属源的水溶液；

将酸性清洗剂和非离子表面活性剂混匀，冷却至5℃～15℃，之后逐滴加入所述金属源的水溶液，混匀之后得到金属诱导催化反应液；

所述酸性清洗剂选自氢氟酸和双氧水的混合溶液。

8.一种金刚线切割多晶硅片的黑硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

对金刚线切割后的多晶硅片进行预处理以除去损伤层，得到预处理后的多晶硅片；

将所述预处理后的多晶硅片放入权利要求1所述的金属诱导催化反应液中，维持15s～90s之后取出，得到金属粒子沉积后的多晶硅片；

将所述金属粒子沉积后的多晶硅片放入刻蚀溶液中进行刻蚀，得到刻蚀后的多晶硅片；

除去所述刻蚀后的多晶硅片表面残留的金属粒子，之后进行清洗并烘干，得到黑硅刻蚀后的多晶硅片。

9.根据权利要求8所述的金刚线切割多晶硅片的黑硅刻蚀方法，其特征在于，将所述预处理后的多晶硅片放入权利要求1所述的金属诱导催化反应液中，维持15s～90s之后取出，得到金属粒子沉积后的多晶硅片的操作为：

提供支架，用于支撑所述预处理后的多晶硅片，所述支架的材质为聚四氟乙烯；

将所述预处理后的多晶硅片放在所述支架上，将所述预处理后的多晶硅片与所述支架一起放入权利要求1所述的金属诱导催化反应液中，所述预处理后的多晶硅片的表面所在的平面垂直于所述金属诱导催化反应液所在的平面；

维持15s～90s之后取出，得到金属粒子沉积后的多晶硅片。

10.根据权利要求8所述的金刚线切割多晶硅片的黑硅刻蚀方法，其特征在于，将所述金属粒子沉积后的多晶硅片放入刻蚀溶液中进行刻蚀的操作中，维持刻蚀温度为5℃～15℃，维持刻蚀时间为2min～15min，所述刻蚀溶液包括按照体积份数的如下各组分：

所述非离子表面活性剂选自乙醇、乙二醇、聚乙二醇、吐温-60、吐温-80、辛基酚聚氧乙烯醚-10和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。