[发明专利]石墨烯量子阱光探测器

权利要求书

1.一种石墨烯量子阱光探测器，其特征在于，包括：

第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层均由压电材料构成；

量子阱层，所述量子阱层位于所述第一压电层和所述第二压电层之间，所述量子阱层包括两个半导体子层和位于两个半导体子层之间的石墨烯纳米带。

2.根据权利要求1所述的石墨烯量子阱光探测器，其特征在于，所述石墨烯纳米带通过将生长在衬底上的石墨烯材料转移至所述半导体子层，并对所述石墨烯材料进行电子束光刻和干法刻蚀形成。

3.根据权利要求1所述的石墨烯量子阱光探测器，其特征在于，所述压电材料为压电陶瓷、氮化铝、氧化锌或聚偏氟乙烯。

4.根据权利要求1所述的石墨烯量子阱光探测器，其特征在于，所述半导体子层的材料为氧化锌或二硫化钼。