[发明专利]SIC MOSFET过流短路检测电路及检测保护系统

权利要求书

1.一种SIC MOSFET过流短路检测电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第二十九电阻、第三十电阻、第三电容、第一二极管、第二二极管、第四二极管、第五二极管、第二三极管和开关扩流器件；

所述第一电阻的第一端与待检测SIC MOSFET所属驱动电路单元的PWM信号输出端相连，所述第一电阻的第一端分别与所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极相连，所述第一电阻的第二端分别与所述第一二极管的阳极、所述第二电阻的第一端和所述开关扩流器件的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地；

所述开关扩流器件的第一端与第六电阻的第一端相连，所述开关扩流器件的第二端与第一驱动隔离电源正压相连，所述开关扩流器件的第三端分别与第十电阻的第一端和所述第六电阻的第二端相连，所述第十电阻的第二端分别与所述第七电阻和所述第五二极管的阳极相连，所述第五二极管的阴极与所述待检测SIC MOSFET的漏极相连；

所述第七电阻的第二端分别与所述第八电阻的第一端和所述第二二极管的阳极相连，所述第八电阻的第二端所述第九电阻的第一端相连，所述第九电阻的第一端分别与所述第四二极管的阴极和所述第二三极管的发射极相连，所述第四二极管的阳极接地，所述第九电阻的第二端分别与所述第二十九电阻的第一端及所述第四二极管的阳极相连，所述第二十九电阻的第二端分别与所述第三十电阻的第一端和所述第二三极管的基极相连，所述第三十电阻的第二端与第二驱动隔离电源正压相连，所述第二三极管的集电极与所述待检测SIC MOSFET的过流短路保护输出电路相连，所述第三电容与所述第二十九电阻并联。

2.根据权利要求1所述的SIC MOSFET过流短路检测电路，其特征在于，所述开关扩流器件为第一三极管；

在所述开关扩流器件为第一三极管时，所述SIC MOSFET过流短路检测电路还包括：第三二极管；

所述第三二极管的阴极和所述第一三极管的基极相连，所述第三二极管的阳极与所述第一三极管的发射极相连；

其中，所述第一三极管的基极作为所述开关扩流器件的第一端，所述第一三极管的集电极作为所述开关扩流器件的第二端，所述第一三极管的发射极作为所述开关扩流器件的第三端。

3.根据权利要求2所述的SIC MOSFET过流短路检测电路，其特征在于，还包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻和第一MOSFET；

所述第一MOSFET的栅极与所述第一电阻的第二端相连，所述第一MOSFET的漏极与所述第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端与所述第一驱动隔离电源正压相连，所述第一MOSFET的源极分别与所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端相连，所述第四电阻的第二端接地，所述第五电阻的第二端分别与所述第一三极管的基极、所述第三二极管的阴极和所述第六电阻的第一端相连。

4.根据权利要求1所述的SIC MOSFET过流短路检测电路，其特征在于，所述开关扩流器件为第三MOSFET；

在所述开关扩流器件为第三MOSFET时，所述SIC MOSFET过流短路检测电路还包括：第九二极管、第四电容和第三十二电阻；

其中，所述第三MOSFET的栅极作为所述第三MOSFET的第一端，所述第三MOSFET的漏极作为所述第三MOSFET的第二端，所述第三MOSFET的源极作为所述第三MOSFET的第三端；

所述第九二极管的阴极分别与所述第三MOSFET的漏极和所述第三十二电阻的第一端相连，所述第九二极管的阳极与所述第一驱动隔离电源正压相连，所述第三十二电阻的第二端接地，所述第四电容与所述第三十二电阻并联。