[发明专利]一种流化装置和流化工艺

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种流化装置和流化工艺。

背景技术

三甲基铟作为LED行业的主要原料，广泛应用于MOCVD、分子束外延领域。三甲基铟性质活泼，遇水爆炸、遇空气自燃，为白色结晶固体。而其在MOCVD的应用过程中，需要颗粒粒径均匀、流动性好，因为大的颗粒会增加物料在使用过程中的气体接触面积，使用过程中流量会更加稳定，使用量更彻底。现有技术中无法按照要求制作出制定大小的三甲基铟，所以在利用率方面一瓶350g装三甲基铟利用率最高只能做到85％～90％，剩下的10％～15％无法使用。

现有技术中对三甲基铟粒度的控制大都为在生产线上控制，具体为在精馏生产中，生产出颗粒大小不均匀的三甲基铟直接进入冷凝器冷凝，并且通过控制冷凝回流比从而使得冷凝速度慢，会直接影响生产线的进度，而此种冷凝方式结晶效果最终也不好，从而导致利用率低。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种流化装置，本发明提供的流化装置流化的三甲基铟颗粒大、流动性好并且利用率高。

本发明提供了一种流化装置，包括：融化装置和入口与所述融化装置的出口相连的结晶装置；

所述结晶装置为侧壁设置有夹套的箱体，所述箱体上部设置有入口，下部设置有物料接收装置；

箱体的夹套内设置有冷凝物质；

箱体内设置有多孔冷凝气管。

优选的，所述冷凝气管穿过箱体的夹套进入箱体内。

优选的，所述冷凝气管上的孔均匀分布。

优选的，所述冷凝气管上的孔径由冷凝气管的入口至出口方向逐渐变大。

优选的，所述结晶装置的箱体入口设置有滴加装置。

优选的，所述融化装置侧壁设置有夹套，所述夹套内设置有加热物质。

本发明提供了一种采用上述技术方案所述的流化装置流化三甲基铟的工艺，包括：

将三甲基铟置入融化装置加热融化，经结晶装置内的夹套和冷凝气管冷凝，在接收装置上得到流化的三甲基铟；

所述冷凝气管中气体流速为10～30L/min。

优选的，所述结晶装置的箱体入口设置有滴加装置，所述滴加速度为10～60d/min。

优选的，所述融化时间为2～3h。

优选的，所述加热温度为90～110℃。

与现有技术相比，本发明提供了一种流化装置，包括：融化装置和入口与所述融化装置的出口相连的结晶装置；所述结晶装置为侧壁设置有夹套的箱体，所述箱体上部设置有入口，下部设置有物料接收装置；箱体的夹套内设置有冷凝物质；箱体内设置有多孔冷凝气管。本发明提供的流化装置通过将三甲基铟熔融后，由融化装置出口出，再由结晶装置入口进入箱体，通过箱体和冷凝气管的双重冷凝作用，使得对于熔融三甲基铟冷凝效果极好；并且冷凝气体通过冷凝气管上的孔吹扫滴落的三甲基铟，使得最终在接收装置接收到的三甲基铟颗粒大、均匀、并且流动性好并且利用率高。

附图说明

图1为本发明实施例所示的流化装置立体图；

图2为本发明实施例所示的流化装置侧视图。

具体实施方式

本发明提供了一种流化装置，包括：融化装置和入口与所述融化装置的出口相连的结晶装置；

所述结晶装置为侧壁设置有夹套的箱体，所述箱体上部设置有入口，下部设置有物料接收装置；

箱体的夹套内设置有冷凝物质；

箱体内设置有多孔冷凝气管。

本发明提供的流化装置包括融化装置。所述融化装置优选为夹套装置，更优选融化装置的侧壁设置有夹套，所述夹套装置的夹套内设置有加热物质。

本发明对于所述融化装置的形状和规格不进行限定，可以为长方体或圆柱形。所述融化装置优选采用316L不锈钢制作。

所述融化装置的夹套的体积与融化装置的体积比优选为1：(8～10)。

所述融化装置的夹套内优选为导热油。通过上述导热油加热三甲基铟从而使其融化。

在本发明中，所述融化装置侧壁设置有加热装置进口和加热装置出口，所述加热装置进口设置于下部，加热装置出口设置于上部。

所述添加导热油的体积优选为整个夹套体积的90％以上。

在本发明中，所述融化装置优选设置有可拆卸的顶盖，生产前打开，使用时封闭。

在本发明中，所述结晶装置的入口与所述融化装置的出口相连。优选的，所述融化装置设置于所述结晶装置上。