[发明专利]一种LVDT位移传感器数字化处理方法及装置有效
申请号: | 201510849802.4 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN106813564B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 冯少华;冯普超 | 申请(专利权)人: | 杭州奥莫自动化科技有限公司 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02 |
代理公司: | 11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 李冉 |
地址: | 浙江省杭州市西湖区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lvdt 位移 传感器 数字化 处理 方法 装置 | ||
1.一种LVDT位移传感器数字化处理方法,该处理方法基于的装置包括LVDT位移传感器方波激励源产生电路、传感器输出信号差分放大电路、峰值捕捉采样电路、微处理器、显示电路和隔离通讯接口电路,其特征在于:
A、采用方波作为激励源,根据LVDT位移传感器磁芯材质,方波频率范围为12-24KHz;
B、LVDT位移传感器输出的响应信号用差分放大电路放大,减少共模干扰;
C、峰值捕捉采样电路采用差分数模转换芯片,经放大处理后的信号进入差分数模转换芯片,该峰值捕捉采样电路由微处理器控制启动采样时刻和采样次数,根据激励源相位和输出信号相位差得到位移的方向,根据输出信号幅值和采样次数经过滤波计算得到位移量;
D、微处理器作为核心计算单元,一方面控制方波激励源的产生,得到激励源的相位;另一方面控制峰值捕捉采样电路,输出采样脉冲P,捕捉输出信号的峰值;在此期间还进行数值计算处理、显示和上位机通讯;
E、微处理器处理完数据后得到带方向的位移量,该位移量通过隔离通讯接口电路上传到上位机,避免上位机和处理装置电路相互干扰,增强系统稳定性;
步骤C中峰值捕捉采样方法,以激励源相位为基准,延迟(N/16)*T和(N/16+1/2)*T采样,其中T表示激励源的周期,N表示0到15中的某一个数,N得到的步骤如下:
C1、微处理器以激励源相位为基准,T/16为时间间隔采样16次,其中有8次采样值大小一致,另8次采样值大小一致,但方向相反;
C2、从两个方向分界线开始,从0数到第3个与激励源同相采样点,记下该采样点的序号为N;
C3、增加采样数量,在(N/16+1/2)*T也进行采样,此时采样结果的方向与(N/16)*T采样结果方向相反,改正方向;
C4、存储N到EEPROM存储器中,以后每次使用从EEPROM存储器读取。
2.根据权利要求1所述的LVDT位移传感器数字化处理方法,其特征在于:步骤A中方波信号由微处理器产生,经驱动能力强的运放后接入到LVDT位移传感器输入端。
3.根据权利要求1所述的LVDT位移传感器数字化处理方法,其特征在于:步骤B中根据位移测量范围进行差分放大电路的放大倍数调整,使输出信号幅度匹配差分数模转换芯片最大量程,提高分辨率。
4.根据权利要求1所述的LVDT位移传感器数字化处理方法,其特征在于:在获得N以后,以后每次捕捉峰值,微处理器以激励源为基准,延迟(N/16)*T和(N/16+1/2)*T时间启动采样脉冲P捕获峰峰值,经过换算处理得到含方向的位移量,同时多次采样结果进行滤波算法,提高采样精度。
5.根据权利要求1所述的LVDT位移传感器数字化处理方法,其特征在于:隔离通讯接口电路采用ADM3251E磁耦合隔离电路,提高抗干扰能力。
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