[发明专利]加速度传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造加速度传感器的方法，其特征在于，包括：

在单晶硅基底上刻蚀至少一个腔体；其中，所述腔体包括：为竖直轴向加速度敏感电容提供运动空间的第一腔体；

在刻蚀了各所述腔体的单晶硅基底上生成氧化硅层；

在生成氧化硅层后的所述单晶硅基底上采用硅硅键合方式覆盖单晶硅基板，并予以减薄，形成敏感器件层；其中，所述单晶硅基板覆盖所有腔体；所述敏感器件层用于形成包含竖直轴向加速度敏感电容的敏感电容；

在所述敏感器件层上生成氧化硅薄膜，并将除所述竖直轴向加速度敏感电容结构中悬臂梁处以外的氧化硅层腐蚀掉；

在所述敏感器件层上沉淀与竖直轴向加速度敏感电容相连的金属电极；

按照预设的包含所述竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀，以得到对应所述结构图案中的感应电容结构；其中，所述竖直轴向加速度敏感电容的结构图案包括：均悬于所述第一腔体的第一固定梳齿的图案、由所述第一固定梳齿的图案两端延伸至所述第一腔体外边沿的悬臂梁的图案、包含与所述第一固定梳齿图案有间隙啮合的第一可动梳齿图案的第一质量块的图案、以及横跨所述第一腔体并将所述第一质量块图案分为质量不等两部分的扭转梁的图案，其中，所述扭转梁图案的两端部位于所述第一腔体的外边沿上。

2.根据权利要求1所述的制造加速度传感器的方法，其特征在于，所述按照预设的包含所述竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀的方式包括：

按照预设的第一固定梳齿和第一可动梳齿对称于所述扭转梁两侧的结构图案，将位于所述第一腔体上的敏感器件层进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的制造加速度传感器的方法，其特征在于，所述腔体还包括：为水平正交两轴向加速度敏感电容提供空间的两个第二腔体；

对应的，所述按照预设的包含所述竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀的方式包括：按照所述第一腔体所对应的竖直轴向加速度敏感电容的、和各所述第二腔体所对应的各水平轴向加速度敏感电容的结构图案，分别将所述第一腔体和第二腔体上的敏感器件层进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的制造加速度传感器的方法，其特征在于，所述水平正交两轴向加速度敏感电容的结构图案包括：

垂直于其中一水平轴向的敏感方向、且由所述第二腔体对称的两外边沿分别向腔内延伸的第二固定梳齿的图案；

悬于所述第二腔体并包含第二可动梳齿图案的第二质量块图案，其中，所述第二固定梳齿的图案与所述第二可动梳齿的图案有间隙的啮合，并所述第二固定梳齿的图案与所述第二可动梳齿的图案所对应的两个敏感电容在相应敏感方向上输出差分敏感信号；

以及由所述第二质量块的图案沿敏感方向对称延伸至所述第二腔体外边沿的弹性梁的图案。

5.根据权利要求1、2或3所述的制造加速度传感器的方法，其特征在于，在单晶硅基底上刻蚀多个腔体的方式包括：

在单晶硅基底上刻蚀包含止挡部的各腔体；其中，所述第一腔体中的止挡部位于所述第一质量块图案所对应的第一质量块中位于扭转梁图案所对应的扭转梁一侧质量较轻的位置；

对应的，所述按照预设的包含所述竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀的方式包括：将所述敏感器件层与相应止挡部之间刻蚀出空隙。