[发明专利]半导体模块、电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体模块，其特征在于，具有：

壳体；

半导体元件，其设置于所述壳体中，对电流进行通断；

封装树脂，其设置于所述壳体中，覆盖所述半导体元件；

磁屏蔽部，其与所述封装树脂接触，含有磁体；以及

填埋磁屏蔽部，其填埋于所述壳体中，含有磁体。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部形成于所述封装树脂的顶面整体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，

所述填埋磁屏蔽部包围所述半导体元件的侧面。

4.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，

所述填埋磁屏蔽部设置于所述半导体元件的底面侧。

5.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，具有：

控制电路基板，其在所述壳体中，设置于所述磁屏蔽部上方；以及

电子部件，其固定于所述控制电路基板。

6.一种半导体模块，其特征在于，具有：

壳体；

半导体元件，其设置于所述壳体中，对电流进行通断；

封装树脂，其设置于所述壳体中，覆盖所述半导体元件；

磁屏蔽部，其与所述封装树脂接触，含有磁体；

控制电路基板，其在所述壳体中，设置于所述磁屏蔽部上方；以及

电子部件，其固定于所述控制电路基板。

7.根据权利要求6所述的半导体模块，其特征在于，

所述电子部件具有通过接收/发送磁场而进行通信的微型变压器。

8.根据权利要求1、2、6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部的热传导率大于所述封装树脂的热传导率，

所述磁屏蔽部的顶面的表面粗糙度大于所述封装树脂的顶面的表面粗糙度。

9.根据权利要求1、2、6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部是含有磁体的树脂。

10.根据权利要求9所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部是含有铁素体粉末的环氧树脂。

11.根据权利要求1、2、6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部是液体。

12.根据权利要求1、2、6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部是胶体。

13.根据权利要求1、2、6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部是橡胶。

14.根据权利要求1、2、6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述磁屏蔽部是弹性体。

15.根据权利要求1、2、6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述半导体元件由宽带隙半导体形成。

16.根据权利要求15所述的半导体模块，其特征在于，

所述宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓类材料或者金刚石。

17.一种电力变换装置，其具有半导体模块以及控制电路，

该半导体模块具有：壳体；半导体元件，其设置于所述壳体中，对电流进行通断；封装树脂，其设置于所述壳体中，覆盖所述半导体元件；磁屏蔽部，其与所述封装树脂接触，含有磁体；以及填埋磁屏蔽部，其填埋于所述壳体中，含有磁体，

该控制电路设置于所述半导体模块的外部，向所述半导体元件传送控制信号。