[发明专利]一种发光显示器及其制备方法

说明书

本发明适用于显示技术领域，提供了一种发光显示器及其制备方法。所述发光显示器，包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的基板、TFT阵列、钝化层和平坦层，所述TFT阵列包括多个TFT，所述TFT包括源/漏极和栅极，所述平坦层上开设有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述平坦层的厚度；所述子像素坑区域下方的所述平坦层和所述钝化层开设有与所述源/漏极相通的通孔；所述子像素坑中依次设置有像素电极和发光单元中间功能层，所述发光单元中间功能层上设置有顶电极，其中，所述像素电极通过所述通孔与所述源/漏极相连。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光显示器及其制备方法。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

由于有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点；而量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，OLED和QLED成为目前显示器件研究的两个主要方向。

驱动TFT阵列是OLED和QLED显示器的一个重要组成部分。目前，显示器件的制备过程通常为：在TFT阵列制作完成后，通过第一次光刻工艺在TFT的源/漏极上端挖一个孔露出源/漏极，然后沉积一层ITO，随后通过第二次光刻工艺将ITO图案化形成与TFT源/漏极相连的像素电极，在像素电极上制备发光器件。该方法制作过程较为复杂，此外，为了防止ITO像素电极周边区域的短路、同时方便定义像素的位置和大小，在ITO像素电极周围，往往需要制备一层像素bank。像素bank的制作额外增加了器件的制备工艺，同时也增大了器件的厚度，不利于显示器的低成本生产以及轻薄特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光显示器，旨在解决现有发光显示器需要增设像素bank导致发光显示器件不够轻薄、且成本相对高以及制备方法复杂的问题。

本发明的另一目的在于提供种发光显示器的制备方法。

本发明是这样实现的，一种发光显示器，包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的基板、TFT阵列、钝化层和平坦层，所述TFT阵列包括多个TFT，所述TFT包括源/漏极和栅极，所述平坦层上开设有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述平坦层的厚度；所述子像素坑区域下方的所述平坦层和所述钝化层开设有与所述源/漏极相通的通孔；所述子像素坑中依次设置有像素电极和发光单元中间功能层，所述发光单元中间功能层上设置有顶电极，其中，所述像素电极通过所述通孔与所述源/漏极相连。

以及，一种发光显示器的制备方法，包括以下步骤：

提供TFT基板，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的基板、TFT阵列、钝化层和平坦层，所述TFT阵列包括多个TFT，所述TFT包括源/漏极和栅极；

在所述TFT基板上沉积光阻；

采用掩膜板对所述光阻进行曝光处理，所述曝光处理包括对用于制作子像素坑的区域进行半曝光、对所述源/漏极上方用于制作连通所述源/漏极和所述子像素坑的通孔区域进行全曝光；

对所述光阻的曝光区域进行显影处理，使得所述全曝光区域的光阻完全去除、所述半曝光区域形成残留光阻层；

对所述显影处理的区域进行干法刻蚀，使得所述平坦层在半曝光区域开口形成子像素坑、所述平坦层和所述钝化层在全曝光区域开口形成通孔；

在所述子像素坑中沉积像素电极后，去除未经曝光显影处理的所述光阻；

在所述像素电极上制作发光器件。