[发明专利]一种ns级冲击电压下局部放电测量系统及方法

权利要求书

1.一种ns级冲击电压下局部放电测量系统，其特征在于，ns级冲击电压局部放电装置和局部放电测量装置，其中：

所述ns级冲击电压局部放电装置，包括：

与待测量电力设备(9)的一端相连接的ns级冲击电压发生器(1)；

与待测量电力设备(9)的另一端相连接的高频脉冲电流传感器(2)；以及，

与所述高频脉冲电流传感器(2)相连接且相互并联的采集电容(3)和MOSFET场效应晶体管(4)；

所述局部放电测量装置，包括：

与所述采集电容(3)、所述MOSFET场效应晶体管(4)以及所述高频脉冲电流传感器(2)均相连接的可变滤波器(5)；

与所述可变滤波器(5)相连接的示波器(6)；

与所述示波器(6)相连接的光电倍增管(7)；所述光电倍增管(7)与所述待测量电力设备(9)对应设置，位于能够摄取所述待测量电力设备(9)光信号的位置；以及，

与所述示波器(6)和所述ns级冲击电压发生器(1)均相连接的分压器(8)。

2.根据权利要求1所述的ns级冲击电压下局部放电测量系统，其特征在于，所述ns级冲击下局部放电测量系统还包括外壳(10)，所述高频脉冲电流传感器(2)、所述采集电容(3)、所述MOSFET场效应晶体管(4)以及所述光电倍增管(7)均设置于所述外壳(10)内。

3.根据权利要求1所述的ns级冲击电压下局部放电测量系统，其特征在于，所述可变滤波器(5)包括第一可变滤波器(51)和第二可变滤波器(52)；所述第一可变滤波器(51)的一端与所述高频脉冲电流传感器(2)相连接、另一端与所述示波器(6)相连接；所述第二可变滤波器(52)的一端与所述采集电容(3)和所述MOSFET场效应晶体管(4)相连接、另一端与所述示波器(6)相连接。

4.根据权利要求1所述的ns级冲击电压下局部放电测量系统，其特征在于，所述采集电容(3)的电容值为20pF-100pF。

5.根据权利要求1所述的ns级冲击电压下局部放电测量系统，其特征在于，所述MOSFET场效应晶体管(4)为VMOSFET场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的ns级冲击电压下局部放电测量系统，其特征在于，所述局部放电测量装置包括多个光电倍增管(7)；多个所述光电倍增管(7)均设置于所述待测量电力设备(9)的对应位置，且所述光电倍增管(7)均与所述示波器(6)相连接。

7.一种ns级冲击电压下局部放电测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

选取权利要求1-6任一所述的ns级冲击电压下局部放电测量系统；

将待测量电力设备(9)与所述冲击电压放电装置和所述局部放电测量装置相连接；

所述高频脉冲电流传感器(2)、所述采集电容(3)和所述MOSFET场效应晶体管(4)采集局部放电脉冲信号，经可变滤波器(5)滤波排除ns级冲击源引起的位移电流和起始时刻的干扰信号后传送至示波器(6)；

所述光电倍增管(7)采集所述待测量电力设备(9)的局部放电光信号，并将所述光信号转换成电信号传送至示波器(6)；

所述示波器(6)对所述局部放电脉冲信号和来自所述光电倍增管(7)的电信号进行计算处理，得出局部放电测量结果。