[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法

说明书

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其界面处理的方法，改进了异质结太阳能电池的界面处理方法，在沉积氢化非晶硅n膜层或氢化非晶硅p膜层前，对传送到其沉积腔室的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，清除氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，提高电池性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产技术领域，特别是涉及硅异质结太阳能电池及其界面处理方法。

背景技术

硅异质结太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜工艺制成的混合型电池，具有转换效率高、工艺流程简单、温度系数低等优势，受到人们的广泛关注。现有硅异质结太阳能电池的生产工艺包括：清洗、制绒、对氢化非晶硅i(ia-Si:H)膜层和氢化非晶硅p(pa-Si:H)膜层以及氢化非晶硅n(na-Si:H)膜层进行沉积、对透明导电氧化物薄膜进行沉积、栅极电极丝网印刷、退火等。

氢等离子体处理技术是硅异质结太阳能电池的重要制备工艺之一，常用于氢化非晶硅i(ia-Si:H)膜层表面的处理，可以减少表面未饱和的硅悬挂键等缺陷态，降低界面的复合，提高界面的钝化效果，提升电池的性能。

在沉积氢化非晶硅i膜层、氢化非晶硅p膜层、氢化非晶硅n膜层时，为了避免交叉污染，一般需要将此三层膜层在三个不同腔室进行沉积，在硅片的一面上沉积完氢化非晶硅i膜层后的样品会在该腔室中进行氢等离子体处理，然后传送到氢化非晶硅p膜层沉积腔室或氢化非晶硅n膜层沉积腔室进行沉积，这样处理的好处是提高氢化非晶硅i膜层的钝化效果，保证氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能。但是传送腔室与真空送样室直接连通，传送过程中会伴随有尘埃、杂质、湿气等污染物进入传送腔室，导致氢化非晶硅i膜层在传送过程中再次产生新的沾污，从而降低氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，进而降低电池性能。

因此，如何避免氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生沾污，保证氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，显得十分重要。

发明内容

本发明的目的是提供一种硅异质结太阳能电池的界面处理方法，清除氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，提高电池性能。

本发明实施例提供了一种硅异质结太阳能电池的界面处理方法，包括：

S1、在氢化非晶硅i膜层的沉积腔室中沉积氢化非晶硅i膜层；

S2、进行下述任一或任意组合的步骤：

A对传送到氢化非晶硅n膜层的沉积腔室中的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，在氢化非晶硅i膜层上沉积氢化非晶硅n膜层；

B对传送到氢化非晶硅p膜层的沉积腔室中的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，在氢化非晶硅i膜层上沉积氢化非晶硅p膜层。

较优的，执行步骤S1后，在氢化非晶硅i膜层的沉积腔室中对氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理。

较优的，氢等离子体界面处理的参数设置为：功率密度为0.01至0.5瓦/平方厘米(W/cm²)，压强为0.1至10托(Torr)，处理时间为20至500秒。更优的，氢等离子体界面处理的参数设置为：功率密度为0.03至0.2瓦/平方厘米(W/cm²)，压强为1至5托(Torr)，处理时间为50至300秒。

较优的，氢等离子体界面处理为氢等离子体界面断辉处理或氢等离子体界面不断辉处理。