[发明专利]导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供固化后散热性高于固化前散热性的导电性膜状胶粘剂和带膜状胶粘剂的切割带。本发明涉及一种导电性膜状胶粘剂，其通过加热进行固化而得到的固化物的第1热导率相对于加热前的第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上。

技术领域

本发明涉及导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造中，将半导体元件粘接于金属引线框等被粘物的方法(即所谓的芯片接合(die bonding)法)从以往的金－硅共晶开始逐渐过渡至利用焊料、树脂糊料的方法。现在有时使用导电性的树脂糊料。

然而，在使用树脂糊料的方法中，存在空孔导致导电性下降、或者树脂糊料的厚度不均匀、或者树脂糊料溢出导致焊盘被污染这样的问题。为了解决这些问题，有时使用含有聚酰亚胺树脂的膜状胶粘剂代替树脂糊料(例如参见专利文献1)。

也已知包含丙烯酸系树脂的膜状胶粘剂。例如在专利文献2中记载了通过使用玻璃化转变温度－10℃～50℃的丙烯酸类共聚物，来提高挠性、降低引线框等的热损伤的技术。

近年，进行电能的控制和供给的功率半导体装置正在明显普及。功率半导体装置中始终有电流流通，因此发热量大。因此，期望在功率半导体装置中使用的导电性的胶粘剂具有高散热性和低电阻率。

关于使用膜状胶粘剂的芯片接合法，如图10所示，已知包含将具备膜状胶粘剂503和半导体芯片505的芯片接合用芯片541压接至约100℃～约150℃的被粘物506的工序的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6－145639号公报

专利文献2：日本专利4137827号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，本发明人进行了深入研究，结果发现，若膜状胶粘剂503的散热性高，则有时难以使膜状胶粘剂503软化至能够粘接于被粘物506的程度。

本发明的目的在于解决上述课题，提供固化后散热性高于固化前散热性的导电性膜状胶粘剂和带膜状胶粘剂的切割带。

用于解决问题的手段

本发明涉及第1热导率相对于第2热导率之比的值(第1热导率/第2热导率)为2.0以上的导电性膜状胶粘剂。第1热导率是通过加热使本发明的导电性膜状胶粘剂固化而得到的固化物的热导率。第2热导率为加热前的热导率。

第1热导率优选为1.7W/m·K以上。

本发明的导电性膜状胶粘剂优选包含导电性粒子。导电性粒子优选包含薄片状金属粒子和在200℃至少一部分会烧结的烧结性金属粒子。因此，通过使本发明的膜状胶粘剂固化，能够使热传导路径变宽，能够提高散热性。导电性粒子100重量％中的烧结性金属粒子的含量优选为5重量％～50重量％。

本发明的导电性膜状胶粘剂包含树脂成分。树脂成分优选包含热塑性树脂、热固性树脂。本发明的导电性膜状胶粘剂优选还包含固化剂。

本发明的导电性膜状胶粘剂的用途优选为芯片接合用途。

本发明还涉及具备切割带和在切割带上配置的导电性膜状胶粘剂的带膜状胶粘剂的切割带。切割带具备基材和在基材上配置的粘合剂层。

本发明还涉及半导体装置的制造方法，其包含将具备导电性膜状胶粘剂和在导电性膜状胶粘剂上配置的半导体芯片的芯片接合用芯片压接于被粘物的工序。

附图说明

图1为膜状胶粘剂的示意性截面图。

图2为带膜状胶粘剂的切割带的示意性截面图。